专题简介

半导体物理与器件的不断发展是当今信息技术进步的核心驱动力。随着摩尔定律趋近物理极限，传统技术面临算力瓶颈、能耗挑战及多样化信息处理需求的严峻考验。应对后摩尔时代的挑战，亟需在半导体材料物性、器件物理及异质集成技术方面取得新的突破。这要求深入探索器件物理机制，结合光、电、磁、热、应变等多物理场协同，实现从原子尺度到系统级的跨尺度设计，以挖掘更高性能、更低功耗、更智能化的半导体技术潜力。

为进一步促进该领域的交流与发展，《物理学报》邀请领域内专家担任客座编辑，组织出版“半导体物理与器件”专题，全面和深入地反映该领域的最新进展、存在的挑战和未来发展的方向。专题将定向邀请相关学者撰稿，同时也面向学界同仁广泛征稿。

专题征稿范围包括但不限于：

     1. 功率半导体器件与可靠性物理：致力于高可靠(超)宽禁带半导体功率器件及先进集成方法，实现电能高效转换与高功率密度系统集成，支撑能源转型；

     2. 射频/太赫兹/毫米波半导体器件：面向下一代通信与空天探测需求，揭示突破高频、高功率、超低损耗器件性能的物理机理，解决器件设计及集成工艺难题；

     3. 新型逻辑、存储与类脑计算芯片：突破冯•诺依曼架构限制，重点发展感存算一体、忆阻器基神经形态计算等新型计算范式及多功能融合技术；

     4. 光子/量子的新原理器件：开拓信息处理新维度，涵盖基于硅基/异质集成光子学及自旋/谷/激子等量子态的新原理器件等。

本专题旨在汇聚国内外在半导体物理、材料、器件及集成领域的最新原创研究与综述，涵盖新材料体系与物性调控（如超宽禁带半导体、二维异质结构、拓扑材料）、核心器件创新（高迁移率晶体管、新型存储器、量子光源、传感器）、先进集成工艺（三维集成、硅基异质集成、光电融合）及前沿系统应用（高速通信、智能感知、量子计算、边缘智能）等方面的相关研究成果。诚邀学界同仁投稿，共同推动半导体物理与器件的快速发展。

客座编辑

王开友

中国科学院半导体研究所

https://semi.cas.cn/zw/rczj/jcqn/201302/t20130228_3783964.html

黄   森

中国科学院微电子研究所

http://www.ime.ac.cn/sourcedb/zw/zjrck/201706/t20170609_4810754.html

截稿日期：2025年11月30日

投稿方式：网络投稿，选择栏目“半导体物理与器件”专题。

投稿网址：http://wulixb.iphy.ac.cn/

联系人：古丽亚

邮箱：guliya@iphy.ac.cn

电话：010-82649863