室旁核神经元可将压力转化为睡眠与记忆障碍  

科学家发现一组神经元，或能解释压力引发睡眠与记忆问题的内在机制。  

这项上周发表于《神经科学杂志》¹的研究表明，大脑下丘脑区域的神经元可介导压力对睡眠和记忆的影响，这可能为治疗压力相关睡眠障碍提供新靶点。  

此前研究显示，下丘脑内室旁核结构中的神经元与其他对睡眠和记忆至关重要的脑区存在信号交流。室旁核神经元会释放促肾上腺皮质激素，参与压力调节。但压力影响睡眠与记忆的神经机制一直未被完全阐明。  

对共同作者、费城宾夕法尼亚大学神经科学家Shinjae Chung而言，压力如何具体影响这些生理过程是个切身问题。她提到：“压力大时我常出现睡眠问题，比如临近考试截止日期时，糟糕的睡眠会直接影响次日的考试成绩。”  

睡眠剥夺实验  

为探究室旁核神经元如何将压力转化为睡眠与记忆问题，研究人员对实验小鼠施加物理束缚压力（将其限制在塑料管中），随后测试小鼠的空间记忆能力，并在其睡眠时监测脑活动。  

结果显示，受压小鼠出现睡眠障碍，次日记忆测试表现不佳。刺激室旁核神经元可模拟上述效应，而阻断该区域神经元活动则能适度改善睡眠，显著提升记忆表现。  

研究团队指出，这表明压力状态下，室旁核神经元可能通过不同机制分别影响睡眠与记忆。密歇根大学安娜堡分校神经科学家Kamran Diba表示：“这说明睡眠障碍与压力信号通路可能相互独立。”  

加州大学旧金山分校行为科学家Mazen Kheirbek补充道，精确定位这一脑回路“为理解压力如何影响行为增添了新依据”。  

睡眠与记忆问题是创伤后应激障碍、重度抑郁症等多种精神疾病的早期症状，常先于临床诊断出现。研究人员认为，靶向室旁核神经元的治疗可能延缓这类疾病的进展。