科学网—JOS的博文

中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-036）——单胞厚度室温二维磁性半导体

阎军 2022-11-15 08:40

1 工作简介 —— 单胞厚度室温二维磁性半导体武汉大学物理科学与技术学院何军教授团队在室温二维磁性半导体方面取得重要进展。该工作系统地研究了二维铁氧体单晶的半导体性质和磁性质，并首次证实了原子级超薄半导体在室温磁存储领域的应用 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-035）——二维半导体碲化钼薄膜在任意表面的异质外延技术

阎军 2022-11-15 08:37

1 工作简介 —— 二维半导体碲化钼薄膜在任意表面的异质外延技术半导体行业依赖技术创新来保持器件小型化和成本降低的步伐。同时，信息的高速传输和处理需要将电子和光子器件集成在同一芯片上。因此，未来发展将同时采用平面和三维 (3D) 复合架 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-034）——微腔光梳驱动的硅基光电子片上系统

阎军 2022-11-10 11:10

1 工作简介 —— 微腔光梳驱动的硅基光电子片上系统北京大学王兴军教授课题组和加州大学圣芭芭拉分校John E. Bowers教授课题组在集成光电子片上系统研究方面取得重要进展。相关研究成果以“微腔光梳驱动的硅基光电子系统”（Micro ...

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半导体学报2022年第11期——中文导读

阎军 2022-11-9 14:27

综述 1 GaN/AlGaN 材料等离子体原子层刻蚀及其应用随着特征尺寸的缩小，等离子体刻蚀技术在上世纪80年代得到了广泛的应用，并引起了人们对精确图形转移技术的极大关注。近年来，第三代半导体GaN基材料器件的发展，对其微尺寸刻蚀可控性的要求进一步提高。例如，低损伤蚀刻是Ga ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-033）——首次证明超宽禁带二维BN可实现n型导电

阎军 2022-11-7 11:24

1 工作简介 —— 首次证明超宽禁带二维BN可实现 n 型导电半导体的双极性导电，即p型导电和n型导电，是构筑光电子器件的重要基本结构。但对于宽禁带半导体（如AlN、GaN、GaO 3 、h-BN等），天然就存在着严重的p、n型掺杂不对称和电导不对 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-032）——转角双层二维材料精准原子制造

阎军 2022-11-1 16:03

1 工作简介 —— 转角双层二维材料精准原子制造北京大学刘开辉教授、上海科技大学王竹君教授和中国人民大学刘灿副教授联合，在大面积双层石墨烯转角的精准控制取得重要进展。相关研究成果以“大面积任意转角双层石墨烯的设计生长” (Desig ...

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阎军 2022-10-27 16:49

1 工作简介 —— 元素逆混合诱导外延型异质结界面实现13%效率铜锌锡硫薄膜太阳能电池南京邮电大学有机电子与信息显示国家重点实验室辛颢教授团队，复旦大学微电子学院陈时友研究员团队和中科院物理研究所孟庆波研究员团队在铜锌锡硫薄 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-030）——单片集成的硫化铅胶体量子点短波红外成像面阵

阎军 2022-10-24 15:33

1 工作简介 —— 单片集成的硫化铅胶体量子点短波红外成像面阵红外成像具有探测距离大、穿透力强以及可全天候工作等优点，在工业和科学研究中均具有重要的应用价值。然而，面向其规模化应用，红外探测技术在分辨率、制造成本方面 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-029）——基于空穴超注入的高功率优值高压氧化镓二极管

阎军 2022-10-24 15:30

1 工作简介 —— 基于空穴超注入的高功率优值高压氧化镓二极管西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授、周弘教授等首次发现并证实了在氧化镓异质PN结二极管中存在显著的空穴超注入效应。基于该效应，研制出一种超高压 p-NiO/ ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-028）——利用200 mm晶圆工艺平台集成制备的高性能自旋轨道矩MRAM器件

阎军 2022-10-24 15:24

1 工作简介 —— 利用200 mm晶圆工艺平台集成制备的高性能自旋轨道矩MRAM器件北京航空航天大学赵巍胜教授和曹凯华助理教授课题组与致真存储（北京）科技有限公司研发团队合作在自旋轨道矩MRAM器件方面取得重要进展，相关研究结果以 ...

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