据ScienceDaily网址2012年3月27日报道，石墨烯独特的电学性能对研究人员具有特别的吸引力，特别是在设想未来的快速集成电路，可能仅仅只有单个碳原子那么厚的薄片，但是，在通往商业化的征途并非一帆风顺，还有许多挑战。

美国佛罗里达大学（University of Florida）的科学家，他们最近解决了如何可靠地大规模制造石墨烯，已经开发出一种很有发展前景的在SiC(4H-SiC或者6H-SiC)上选择性控制石墨烯增长以及石墨烯纳米带形成的新方法。

SiC在1300 ℃，其表面的Si原子可以气化，留下C原子形成纯粹石墨烯薄片。研究人员先前使用这个热分解技术，创造一张巨大的石墨烯薄片,然后蚀刻成希望的模式供特定设备使用。

该研究小组发现在SiC中注入硅或金离子，可以是石墨烯形成的温度降低约100℃。该研究团队仅仅希望在石墨烯层注入离子，然后加热SiC到1200℃。在此温度下,纯SiC并不会形成石墨烯,但住入离子的部位却可以形成石墨烯。利用这种方法,该研究小组已经成功地制造出石墨烯纳米带。佛罗里达团队的技术使研究人员限制了石墨烯的生长，按照预先设计的模式且仅仅只有20 nm大小。更多内容请浏览：

Applied Physics Letters,（DOI: 10.1063/1.3682479）