由于 GaN基 Micro-LED 表面积 - 体积比增加,其在热学方面的性质有别于大尺寸的 L ED ,如缺陷复合导致的热效应将在发光区域中产生诸多 “热”点,导致发光波长不均匀,这将影响后期显示系统的成像稳定性。针对上述问题,天津赛米卡尔科技有限公司技术团队开发出了 G aN 基 M icro-LED ...
Ga 2 O 3 材料是继 Si 、 SiC 及 GaN 后的第四代宽禁带半导体材料,其禁带宽度高达 4.9 eV ,可定向检测日盲波段的紫外光,且不受太阳光背景辐射的影响,使得该材料有天然的日盲特性。日盲紫外光电探测器凭借其良好的抗干扰能力在紫外通信、火灾监测以及环境保护等领域有着广泛的应用。近期,天津赛米卡尔科技 ...