波长范围为UVC波段（100-280 nm）的深紫外FP（Fabry-Pero，法布里和珀罗是两位法国的科学家）激光器可广泛应用于数据通信、光通信、3D打印、材料加工、显示与照明、激光雷达、人脸/手势识别、医疗和表面监测等领域。FP激光器主要是在激励源的激发下使有源区结构中产生粒子数反转，并经过由两个平面反射镜组成的F-P谐振腔实现激射，由一侧反射镜出射激光。由于AlGaN基深紫外FP激光器载流子输运效率低、短波区域化合物半导体之间折射率差异较小、吸收系数较大、有源区增益低（TE/TM模式），导致AlGaN基深紫外FP激光器仿真设计中很容易出现计算过程不收敛、近场分布不合理、器件难以激射等现象，因此无法有效指导AlGaN基深紫外FP激光器的制备与生产。

天津赛米卡尔技术团队利用先进的半导体器件设计平台开发出了AlGaN基深紫外FP激光器模型及其材料信息数据库，可以输出不同偏置条件下的能带、增益谱分布、光场分布和功率-电压等特性曲线，具体信息如下图所示。此模型有助于高效地设计AlGaN基深紫外FP激光器的结构参数，同时为分析器件内部机理提供了重要的参考价值，对研发高性能的AlGaN基深深紫外FP激光器有着重要的指导意义。