硒化锑半导体材料具有1.05 ~ 1.2 eV的带隙，广泛应用于单结太阳能电池中，同时该材料也是合适的叠层电池底电池光吸收层材料。有机-无机杂化钙钛矿的带隙在较宽的范围内可调。本工作报道了钙钛矿/硒化锑四端叠层太阳能电池，通过调整钙钛矿顶电池透明电极层的厚度以及在硒化锑底电池中引入双电子层工艺，最终得到了能量转换效率超过20%的四端叠层太阳能电池。

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Citation：

Cai Z., Sun J., Cai H., et al. Sb2Se3 as a bottom cell material for efficient perovskite/Sb2Se3 tandem solar cells. Energy Mater. Devices, 2024, 2, 9370027.

DOI:

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