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[转载]第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议(ASDIT 2026)
2026-7-13 14:35
阅读:1100

第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议(ASDIT 2026)2026 2nd International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Integration Technology

会议信息

会议官网:www.asdit.org

会议时间:2026年8月28-30日

会议地点:中国-江苏-无锡

截稿时间:2026年7月15日(早投早审早递交)

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会议简介

 第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议(ASDIT 2026)将于2026年8月28-30日在中国江苏无锡举办。本次会议旨在汇聚全球半导体领域的顶尖学者、行业专家和企业领袖,共同探讨最新的研究成果和技术进展。会议将涵盖先进半导体器件的设计、制造、材料及其在各类应用中的创新,包括人工智能、量子计算和5G通信等前沿科技。与会者将有机会参加主题演讲、专题讨论和技术展示,深入了解行业动态,分享前沿经验。

        我们诚邀全球的专家学者参与此次盛会,共同推动半导体技术的进步与发展。期待与您相聚无锡,共同探索未来科技的无限可能!

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组织单位

主办单位江南大学
承办单位

江南大学集成电路学院

江南大学理学院

无锡市第三代半导体器件与集成技术重点实验室

江南大学-康讯半导体联合实验室

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征稿主题

半导体器件集成技术
新型半导体材料及其在器件中的应用

高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件:RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响

......

三维集成电路及其制造工艺

片上系统(SoC)与集成方法

芯片异构集成技术

封装级集成技术的发展与创新

集成电路中的热管理技术

射频集成电路及其设计优化

人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用

先进模拟与混合信号集成电路

电源管理集成电路技术

集成电路设计中的可靠性与安全挑战

硅光子学互连技术

超大规模集成技术的最新进展

新兴存储器集成技术

模块化MEMS与NEMS的集成应用

智能传感系统的集成与创新

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会议议程

日期时间活动
8月28日14:00-18:00签到注册
8月29日9:00-12:00主题报告
12:00-14:00午饭
14:00-18:00主题报告&口头汇报
18:00-20:00晚宴
8月30日9:00-18:00学术考察活动

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注册费用

类别注册费用(人民币)
投稿(4页)

3800元/篇

学生投稿优惠200/篇,具体可联系会议秘书

超页费(第5页起)400元/页
摘要投稿(仅交流展示,不做见刊检索)1800元/篇
听众/口头/海报/摘要参会1500元/人

【摘要投稿】摘要投稿点击参会报名后将摘要发送到邮箱lijianya@ais.cn。

*【关于发票】付款后可自行在订单处申请开票(填写好信息);方式①:系统自动开电子普票(无备注才可,一般实时可收到);方式②:若无法自动开票/需开具电子增值税专用发票,需联系跟进订单的会议老师告知情况,进行人工开具(除月底月初封账期,一般联系后的1-2个工作日可开出)

参会方式

1、作者参会:一篇录用文章允许一名作者免费参会;

2、主讲嘉宾:申请主题演讲,由组委会审核;

3、口头演讲:申请口头报告,时间为15分钟,摘要投稿可申请;

4、海报展示:申请海报展示,A1尺寸,彩色打印;

5、听众参会:不投稿仅参会,也可申请演讲及展示。

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