我读的文章多是如果电荷转移的话，那么荧光必定要减弱或者消失，其原因是长时间分离的电子和空穴多以非辐射的方式将能量弛豫掉，当然还有因为能量转移的机理而形成近红外的发射峰。今天看到一篇文章，说是电荷转移导致了新的近红外荧光。我看了看作者的讨论，但是还是没有读出他们在说什么，或者说根本没有说清楚这个新发光峰的来源。我没有研究过硫属半导体纳米粒子，好像国内的高明远教授在这方面做了很多工作。熟悉这个领域的不妨说说话。

 

Nanorod Heterostructures Showing Photoinduced Charge Separation

Sandeep Kumar, Marcus Jones, Shun S. Lo, Gregory D. Scholes
Small，2007, 3, 1633.

 

 我自己想了一个机理，猜测啊，CdSe是A分子，CdTe是B分子。光激发以后两者都形成激子，但是随之B分子的电子要跑到A分子导带上去，A分子的空穴要转移到B分子上去，如此解释了A，B两分子荧光淬灭的现象。最后A分子上的电子能和B分子上的空穴复合发出新的荧光，是什么因素导致这个复合过程是荧光形式而不是其他弛豫方式？估计和相近的晶格结构和价带结构有很大的关系。了解这个研究方向的过来拍一拍。现在突然发现我画的这个图居然和作者给出的GRAPHIC ABSTRACT的图很相似，但是奇怪为什么作者在文章里面不讨论这个问题。

2007。09。20补记：

昨天又看了一篇Alivisatos组Talapin最新的工作，觉得自己上面的想法没有错。看来硫硒碲化镉的电子空穴波函数重叠很大，所以满足荧光发射过程。

Seeded Growth of Highly Luminescent CdSe/CdS Nanoheterostructures with Rod and Tetrapod Morphologies
Dmitri V. Talapin, James H. Nelson, Elena V. Shevchenko, Shaul Aloni, Bryce Sadtler, and A. Paul Alivisatos
Web Release Date: 11-Sep-2007; (Letter) DOI: 10.1021/nl072003g

紧接着还有另外一篇相同量子点结构的，还没看文章，看图已经很震撼人了，和上一篇比较读一下。

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