王丹红

 

多铁材料是一种导电场和磁场共同存在的罕见材料，而在极小的空间储藏最大量的数据和信息则是科学家和公众的共同梦想。研究人员在在线出版的《自然—材料学》期刊上报告说，他们认为多铁材料是实现这种梦幻记忆设备的一把钥匙。

 

Manuel Bibes和同事研究了一种设备，电子可穿越其中一张非常之薄的多铁薄膜。因为这张薄膜的电性和磁性共存，所以电子穿越整个薄膜时的电阻发生了变化，这种性质正是记忆设备的基本要求。最重要的是，多铁薄膜中电场和磁场共存的特点意味着可以在这种设备中用电子或磁性写作，然后再用电子方式阅读。与商业化的铁电和磁性材料储存相比，这种新材料代表了技术上一个伟大的进步，因为它在综合这两项技术长处的同时避免了它们的短处。

 

James Scott在同一期的《自然—材料学》期刊上撰文指出，这是一项“破坏性技术”，因为它可能会颠覆现有的储存设备的概念，并导致多铁材料的广泛商业化。

 

（王丹红／编译；更多信息请访问www.naturechina.com/st）