理论工作方面：
1948年，威廉·肖克利的论文《半导体中的P-N结和P-N结型晶体管的理论》发表于贝尔实验室内部刊物。肖克利在1950年出版的《半导体中的电子和空穴》中详尽地讨论了结型晶体管的原理，与约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿共同发明的的点接触型晶体管所采用的不同的理论。
也可以查看一下维基：http://zh.wikipedia.org/wiki/PN%E7%BB%93

从晶体管发明史可见，晶体管的发明是理论和实验通力合作的结晶。
附我阅读整理过的晶体管发展简史：
    1936 年贝尔实验室主任 Kelly 根据 19 世纪以来关于半导体在光照下能产生电流以及它和金属接触能起到整流和检波的作用的现象，认为半导体有希望取代电子管，为此他加强了对固体物理基础理论的研究。二战结束后Kelly 继续推行研究固体物理的方针，于1945 年成立固体物理研究小组，由肖克力任组长。肖克力整理过去有关半导体方面的文献，并到普渡大学调研，尽可能获得最新信息，然后提出构成基本上是结型场效应管的半导体三极管的设想，不幸的是进行了多次试验都没有成功。1946 年巴丁分析了失败的原因，提出了表面状态理论，并用生成有氧化层的N 型锗片，和布莱顿一起进行试验，终于取得了成功。1947年12月23 日，巴丁和布莱顿在贝尔实验室从示波器荧光屏上显示的信号显著的被放大了！但在这项发明中肖克力作为一组之长没有被列入，这使他的自尊心受到很大的打击，沮丧之余，他不再和大家一起集中精力发展巴丁和布莱顿试验成功的场效应管晶体管，而是自己再研究 PNP结型晶体管了，他终于他又研究出了结型晶体管，而且结型晶体管在工艺上比较容易实现而且性能比较稳定可靠。到了1958 年至1959 年，Kilby 和Noyce 提出了制造集成电路的具体工艺措施。