由于基于半导体能带K点附近微扰近似得到的K.P理论认为自旋轨道耦合作用不随温度变化，长期以来大家一般认为自旋轨道耦合作用不具有温度依赖性，然而近年来，部分实验在半导体以及典型半金属Bi中均发现受温度影响的自旋轨道耦合。SrIrO3是一种具有很强自旋轨道耦合作用的5d过渡金属氧化物，我们已在SrIrO3单层膜的输运实验中观察到了明显的由强自旋轨道耦合作用引起反弱局域化(Anti-weak localization)效应，也正通过这一效应引起磁阻变化的分析，可以提取出自旋轨道耦合强度信息。在分析了不同温度下SrIrO3单层膜的自旋轨道耦合强度后，我们发现该材料的自旋轨道耦合强度具有明显的温度依赖性，其Rashba自旋轨道耦合系数的温度变化率是一般半导体异质结的近100倍，达到30–45%/K。我们推测产生这么大的温度依赖性，源于SrIrO3 具有特殊的多相互作用竞争导致的带结构，而温度变化时，晶格参数的微小变化造成的晶格场能变化造成多相互作用竞争平衡点的移动，造成Lander g factor的变化，从而造成自旋轨道耦合强度的变化。应用上看，基于这一效应，SrIrO3具有用于制造自旋电子学低温温度传感器的潜力。相关工作发表在 Journal Of The Physical Society Of Japan 83卷 上。http://dx.doi.org/10.7566/JPSJ.83.054707