不需从金属衬底转移到绝缘衬底的石墨烯，一直是石墨烯生长领域的一个热门话题。我的这项工作首先在氧化硅表面溅射一层铜膜，再在铜膜表面旋涂固态碳源。在快速退火炉中，通过利用铜膜的催化和过滤作用，进而在铜膜的下表面得到高质量的单层石墨烯。这项技术的关键是利用退火预处理使得铜膜的晶粒增大，由于碳在晶界处的扩散速度远大于在晶粒中的扩散速度，使得石墨烯的成核点显著减小，增加了石墨烯的品质。由于电子在晶界处的散射是影响CVD制备的石墨烯的迁移率的一个重要因素，因此这个方法使得石墨烯的良好的迁移率有了一定的保证。我们测量到石墨烯的迁移率在3000左右，低温下可以看到明显的SdH振荡。这项工作被选为nanoscale的封底文章。

A fast transfer-free synthesis of high-quality monolayer graphene on insulating substrates by a simple rapid thermal treatment

http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2015/nr/c5nr05393e#!divAbstract