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微电子器件|
增强载流子迁移率是新一代微电子器件和电路发展的重要方向
热度 4 谢孟贤 2011-3-12 21:04
作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 现在微电子技术的进步，在很大程度上就是在不断努力地缩短场效应器件的沟道长度，这主要是通过改善微电子工艺技术、提高加工水平来实现的。尽管现在沟道长度已经可以缩短到深亚微米、乃至于纳米尺寸了，但是要想再继 ...
个人分类: 微电子器件|8361 次阅读|3 个评论 热度 4

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