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[转载]VASP表面计算步骤

已有 3995 次阅读 2021-6-29 11:04 |系统分类:科研笔记|文章来源:转载

原文链接:http://blog.sciencenet.cn/blog-478347-374981.html

一、概述

      vasp用“slab” 模型来模拟表面体系结构。
      vasp计算表面的大概步骤是:
      材料体性质的计算;表面模型的构造;表面结构的优化;表面性质的计算
二、分步介绍
    1、材料体性质计算:
      本步是为了确定表面计算时所需的一些重要参数:ENCUT、SIGMA、晶格参数。
      在计算前,要明确:何种PP;ENCUT;KPOINTS ;SIGMA;PREC;EX-CO,这其实是准备proper input files。
    a. 何种PP
     选择的PP能使计算得到的单个原子能量值在1meV~10meV之间。                                  
     所求得的单原子能量(对称性破缺时)可用来提高结合能的精度。
    b. ENCUT                                                                                                                          
     选择的ENCUT应使得总能变化在0.001eV左右为宜。
    注意:试探值最小为POTCAR中的ENMAX(多个时,取最大的),递增间隔50;
               另外,在进行变体积的结构优化时,最好保证ENCUT=1.3ENMAX,以得到合理精度。
    c. PREC                                                                                                                          
     控制计算精度的最重要参数,决定了(未指定时)ENCUT、FFT网格、ROPT取值。
     一般计算取NORMAL;当要提高Stress tensor计算精度时,HIGH 或ACCURATE,并手动设置ENCUT。
    d. EDIFF & EDIFFG                                                                                                        
    EDIFF 判断电子结构部分自恰迭代时自恰与否,一般取默认值=1E-4;
    EDIFFG 控制离子部分驰豫
    e. ISTART & ICHARGE                                                                                                   
    ISTART = 1, ICHARG = 11:能带结构、电子态密度计算时;
    ISTART =0, ICHARG = 2:其余计算
    ISTART = 1,ICHARG = 1(其他所有不改变):断点后续算设置
    f. GGA & VOSKOWN                                                                                                      
    GGA=91:        Perdew -Wang 91;
    GGA=PE: Perdew-Burke-Ernzerhof
    VOSKOWN=1( GGA=91时);VOSKOWN=默认(其余情况)
   g. ISIF                                                                                                                                
   控制结构参数之优化。在对原胞进行变形状或者体积的优化时,ENCUT要取大(比如1.3ENMAX或PREC=HIGH),以消除Pulay Stress导致的误差。
   h. ISMEAR & SIGMA                                                                                                            
   进行任何静态计算时,且K点数目大于4,ISMEAR=-5;
   当原胞太大,导致K点数目小于4时,ISMEAR = 0,并且要设置一个SIGMA;
    对绝缘体和半导体,不论是静态计算还是结构优化,ISMEAR = -5;
    对金属体系,SMEAR=1和 2,并且设置一个SIGMA;
    能带结构计算,用默认值:ISMEAR=1,SIGMA=0.2;
    一般来说,对于任何体系,任何计算,采用ISMEAR=0,并选择合适的SIGMA都会得到合理结果。
   选择的SIGMA应使得entropy T*S EENTRO 绝对值最小。K 点数目变化后,SIGMA需再优化。
  i.  RWIGS                                                                                                                             
   一般取POTCAR中以A为单问的RWIGS值。                                                                              
  j. K points                                                                                                                          
    选择的K点应使得总能变化在0.001eV左右即可。
  k. 一些重要的参数在默认下的值NSW =0,IBRION=-1,ISIF=2:静态计算。
                                                                                  <二>
  a. 体材料结合能修正。                                                                                                         
  在OUTCAR中energy without entropy之后的那个能量值,就是修正值
  b. 结构参数优化。                                                                                                                     简单情况(没有内部自由度如晶胞形状、原子位置):静态计算,得出E~V关系,然后用Birch-Murnaghan状态方程拟合。
      复杂情况:
总思路是先“建立好房子”,再“放好桌子”。
  先算一步结构优化(取ISIF=5,只改变“房子”形貌,房间大小不变,家具不予考虑),接着算一步静态自恰计算,从而得到某结构参数下的能量,如此循环得到E~V关系。用状态方程拟合得到平衡体积。
   在该体积下,重复1(取ISIF=2,房子造好后,考虑的是如何放家具。此处一般是使得每个家具受力达到某中小即可认为达到稳定结构)、2两步,便得到了所有的晶格参数值,如离子坐标。
 
  c.  VASP得到的总能即是结合能,不过还要减去前面得到的修正值。
  d. 自恰的电荷密度                                                                                                           
  优化得到晶格参数后,再进行静态的自恰计算,就得到了自恰的电荷密度。
  此时的POSCAR为从优化晶格参数时可CONTCAR得到。
   KPOINTS 不变
  典型的INCAR设置是:
ENCUT = 250
ISTART = 0; ICHARG = 2
ISMEAR = -5
PREC = Accurate
       计算完后,注意保存相关结果。




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