EPjournal的个人博客分享 http://blog.sciencenet.cn/u/EPjournal

博文

许居衍院士谈后摩尔时代的技术创新

已有 1179 次阅读 2020-12-22 11:41 |系统分类:论文交流

本文发表在《电子与封装》2020年第12期,点击此处免费获取全文

摘要:从半导体技术与架构分类的角度出发,在科技范式的高度揭示了后摩尔时代百花斗艳的创新图象。基于硅CMOS技术和冯·诺依曼计算架构所形成的“硅-冯”范式,仍将长期主导电子信息产业的发展,但创新主体已从技术转向架构。与此同时,在冯氏架构下,探索类同硅CMOS的器件技术创新(“类硅”模式)和采用硅CMOS技术模拟脑神经的非冯架构创新(“类脑”模式)也在应用推动下得到快速发展。现行架构下的新兴技术创新和现行技术下的新兴架构创新终将迎来技术与架构全新的颠覆性创新(“新兴”范式),从而再一次回归到物理基础创新。



https://wap.sciencenet.cn/blog-3415146-1263638.html

上一篇:气密性平行缝焊盐雾腐蚀机理研究
下一篇:封面故事∣清华大学微电子所封装课题组:预成型底部填充技术,解开100 μm以下窄节距倒装芯片互连的难题
收藏 IP: 218.90.141.*| 热度|

0

该博文允许注册用户评论 请点击登录 评论 (0 个评论)

数据加载中...

Archiver|手机版|科学网 ( 京ICP备07017567号-12 )

GMT+8, 2024-5-14 07:59

Powered by ScienceNet.cn

Copyright © 2007- 中国科学报社

返回顶部