科学网—JOS的博文

中国半导体十大研究进展候选推荐（2023-014）——黑磷及其合金单晶薄膜生长

阎军 2023-10-10 10:16

1 工作简介 —— 黑磷及其合金单晶薄膜生长武汉大学何军教授、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张凯研究员等团队合作，在黑磷薄膜的生长制备研究中取得重要进展，首次实现了介质衬底上黑磷及其合金的高质量单晶薄膜制备。相关研究 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2023-013）——一款具有高输入阻抗和低输入纹波的通用宽带斩波仪表放大器

阎军 2023-10-10 09:42

1 工作简介 —— 一款具有高输入阻抗和低输入纹波的通用宽带斩波仪表放大器高精度零漂仪表放大器广泛应用于工业控制、智能传感以及生物医疗等消费电子领域，其低噪声、低失调以及低温漂等特点使得其在微弱信号采集等领域具有重要的地位。传统的零 ...

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半导体学报2023年第8期——中文导读

阎军 2023-9-1 08:58

综述 1 空位缺陷工程在调控石墨相氮化碳光解水性能方面的研究进展光催化分解水技术是利用半导体光催化材料实现太阳能转化和利用的一种有效方法，是解决当前能源和环境问题的有效途径之一。然而，半导体光催材料光谱相应范围小、能量转化效率低 ...

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专刊 | 半导体学报2023年第7期——超宽禁带氧化镓半导体专刊 (II) ：功率器件和DUV光电器件

阎军 2023-8-31 09:58

作为一种超宽带隙半导体材料，氧化镓( Ga 2 O 3 )因其优异的光电特性，在功率器件和DUV光学器件领域引起了广泛关注。一方面， Ga 2 O 3 具有高达8 MV/cm的临界击穿场强和3444的巴利加优值(BFOM)，是先进大功率器件领域极具潜力的候选材料。另一方面，由于 Ga 2 O 3 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2023-012）——晶圆级范德华集成二维电子器件

阎军 2023-8-31 09:36

1 工作简介 —— 晶圆级范德华集成二维电子器件随着硅基晶体管微缩逐渐逼近物理极限，同时二维晶体管的器件性能逐步提升至硅基晶体管相当水平，二维晶体管在后摩尔时代集成电路应用中的巨大潜力已成为业界共识。然而，原子级厚度的二维半导体在器件 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2023-011）——二维晶体管中超薄高κ复合介电层的规模化集成

阎军 2023-8-18 09:40

1 工作简介 —— 二维晶体管中超薄高κ复合介电层的规模化集成华中科技大学翟天佑教授、刘开朗副教授团队在二维晶体管介电层规模化通用集成方面取得重要进展，相关成果以“Scalable integration of hybrid high-κ dielectric materials on ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2023-010）——先进节点碳基集成电路

阎军 2023-8-18 09:36

1 工作简介 —— 先进节点碳基集成电路集成电路的发展主要方式是通过缩减晶体管尺寸提高性能和集成度，同时降低功耗和制造成本。随着5 nm及以下节点CMOS技术逐渐应用于商用超大规模集成电路中，硅基晶体管的继续微缩面临着来自功耗、成本甚至是物 ...

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专刊 | 半导体学报2023年第6期——超宽禁带氧化镓半导体专刊（I）：外延生长和功率器件

阎军 2023-7-4 16:20

目前，电子学界普遍看好氧化镓（ Ga 2 O 3 ）超宽带隙半导体在功率电子器件领域的前景，认为其最终将在功率电子应用领域带来巨大变革。特别是得益于 Ga 2 O 3 高达4.8 eV的超宽带隙，新兴的 Ga 2 O 3 半导体材料将有望提供一个激动人心的技术平台，不仅可以大幅提升功率器件的性 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2023-009）——首例外延高κ栅介质集成型二维鳍式晶体管

阎军 2023-6-21 09:50

1 工作简介 —— 首例外延高κ栅介质集成型二维鳍式晶体管北京大学彭海琳教授团队实现了世界首例二维半导体鳍片/高κ栅氧化物异质结阵列的外延生长及其三维架构的异质集成，并研制了高性能二维鳍式场效应晶体管（2D FinFET）。该原创性 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2023-008）——基于存算一体硬件的无线数据传输系统

阎军 2023-6-15 10:27

1 工作简介 —— 基于存算一体硬件的无线数据传输系统南京大学物理学院缪峰教授、梁世军副教授团队在基于存算一体硬件的无线数据传输系统方面取得重要进展，相关研究成果以“并行存内无线计算”（Parallel in-memory wireless computing ...

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