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半导体学报2019年第2期: 阎军 2019-3-11 22:28; 1. 金纳米粒子修饰的三维分层CuO气体传感器随着“工业4.0”和“中国制造2025”的提出，以物联网技术为主体的智能化产业链正在兴起。传感器技术作为物联网的关键技术之一，在数据获取、数据传输和数据处理的链条中扮演着举足轻重的角色，传感器技术的发展水平会在一定程度上影响物联网技术的发展。气体 ...; 3219 次阅读|没有评论

专家视点 | 王建禄教授：一种基于二维反铁磁材料的新型场效应晶体管: 阎军 2019-2-1 22:14; 研究背景双层二维材料的能带结构可由电场灵活调控，例如双层石墨烯能隙为零，外加垂直于石墨烯表面的电场可以诱导 0.25 eV 左右的能隙，双层过渡金属硫化物（ M=Mo,W;X=S, Se, Te ）为半导体，外加电场可诱导半导体 - 金属相变。 2017 ...; 5603 次阅读|没有评论

Rafiq教授：纪念晶体管的发明者--约翰巴丁: 阎军 2019-2-1 22:12; 晶体管的发明以及因其发明而产生的电子产品工业的发展使我们的社会产生了翻天覆地的变化。约翰·巴丁是晶体管发明者之一。他是一位天才，也是20世纪最具影响力的半导体物理学家之一，曾获得两项诺贝尔物理学奖。晶体管晶体管是最有深远影响的科学发明之一，它的发明改变了人类的生活以 ...; 6629 次阅读|没有评论

半导体学报2019年第1期——超宽禁带半导体氧化镓材料与器件专刊: 阎军 2019-1-9 17:53; 编者按：氧化镓（Ga 2 O 3 ）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，被广泛应用于高性能电源开关、射频放大器、日盲探测器、恶劣环境信号处理方面。近年来随着氧化镓晶体生长技术的突破性进展，氧化镓材料及器件的研究与应用成为国 ...; 11479 次阅读|没有评论

专家视点 | 陶绪堂：氧化镓单晶生长技术: 阎军 2019-1-9 17:15; 编者按：在最新出版的《半导体学报》2019年第1期上，山东大学晶体材料国家重点实验室主任陶绪堂教授着重介绍了氧化镓晶体生长技术，指出导模法（EFG）由于可实现大的晶体尺寸、低的缺陷密度、大的生长速度、以及高的晶体质量，被认为是未来大批量生产氧化镓单晶的最佳工艺之一。氧化镓材料简介 ...; 5364 次阅读|没有评论

郝跃院士谈氧化镓：致力于提供更高效的生活: 阎军 2019-1-9 16:21; 编者按：近年来氧化镓晶体生长技术的突破性进展，极大地推动了相关的薄膜外延、日盲探测器、功率器件、高亮度紫外LED等器件的研究，是国际上超宽禁带半导体领域的研究热点。国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项也于2018年发布了相关的研究指南“超宽禁带半导体材料与器件研究（基础研究 ...; 6480 次阅读|没有评论

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