半导体学报2019年第5期——中文导读

阎军 2019-5-21 11:26

1. 化学浴沉积法制备的 用于太阳能电池的PVA封端SnS薄膜的结构与光学研究 Sri Venkateswara大学物理系太阳能实验室K. T. Ramakrishna Reddy教授 通 过简单、低成本的湿法化学工艺以及在50-80 °C范围内不同温度的化学浴沉积（CBD）工艺，可以在玻璃基板上成功沉积PVA封端的单硫化锡（SnS）薄膜，实现低 ...

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半导体学报2019年第3期

阎军 2019-3-11 22:32

1. 密度泛函理论研究Ge n+1 和AsGe n （n=1-20）团簇的生长行为和电子性质 阿尔及利亚乌尔加拉大学M. Benaida和沙特阿拉伯King Abdullah科技大学M. Harb博士 以密度泛函理论（DFT）为基础，针对As掺杂原子对不同Ge n+1 异构体（其中n=1-20）的结构、能量以及电子性质产生的影响进 ...

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半导体学报2019年第2期

阎军 2019-3-11 22:28

1. 金纳米粒子修饰的三维分层CuO气体传感器 随着“工业4.0”和“中国制造2025”的提出，以物联网技术为主体的智能化产业链正在兴起。传感器技术作为物联网的关键技术之一，在数据获取、数 据传输和数据处理的链条中扮演着举足轻重的角色，传感器技术的发展水平会在一定程度上影响物联网技术的发展。 气体 ...

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半导体学报2019年第1期——超宽禁带半导体氧化镓材料与器件专刊

阎军 2019-1-9 17:53

编者按： 氧化镓（Ga 2 O 3 ）作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，被广泛应用于高性能电源开关、射频放大器、日盲探测器、恶劣环境信号处理方面。近年来随着氧化镓晶体生长技术的突破性进展，氧化镓材料及器件的研究与应用成为国 ...

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