科学网—JOS的博文

诚邀投稿 | JOSarXiv预发布平台

阎军 2020-4-1 14:57

半导体科技发展迅猛，科技论文产出数量逐年增加。“半导体科技论文预发布平台”（以下简称JOSarXiv）致力于为国内外半导体领域科研人员提供中英文科技论文免费发布和获取的平台，保障优秀科研成果首发权的认定，促进更大范围的学术交流。 JOSarXiv由《半导体学报》主编李树深院士倡导建立，编辑部负责运行和管理，是国 ...

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半导体学报2020年第3期目次

阎军 2020-3-29 17:22

J. Semicond. Volume 41, Number 3, March2020 RESEARCH HIGHLIGHTS Observation of exciton polariton condensation in a perovskite lattice at room temperature Jun Zhang J. Semicond. 2020, 41(3): 030201 doi:10.1088/1674-4926/41/3/030201 A ...

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[转载]中国半导体十大研究进展候选推荐（2020-001）——单原子层沟道的鳍式场效应晶体管

阎军 2020-3-29 17:13

1 工作简介 —— 单原子层沟道的鳍式场效应晶体管为了避免硅基平面场效应晶体管因为尺寸减小带来的短沟道效应等缺陷，鳍式晶体管（FinFET）将沟道和栅极制备成类似于鱼鳍（Fin）的竖直形态。受制于微纳加工精度，FinFET的沟道宽度目前最小约3-5 nm。为进一步提高集成度，中科院 ...

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JOS 2019年度Highlights集萃

阎军 2020-3-5 14:59

Highlightsof2019 Journal of Semiconductors 2019年共发表151篇文章，包括27篇Comments and Opinions文章和News and Views文章。综合发文方向、专家评审意见、文章学术质量和网刊下载数量等，编辑部从中选出12篇，作为2019年度Highlights文章，2020年将在IOP Publishin ...

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魏少军教授：可重构计算——一种有前景的人工智能微芯片结构

阎军 2020-2-12 16:46

可重构计算：一种有前景的人工智能微芯片结构随着现行半导体工艺线宽逐渐逼近物理极限，依靠工艺技术进步获得集成电路性能和功耗的改善变得越来越困难。通过架构创新延续摩尔定律，并持续在性能、功耗和成本上获得收益成为当前国际研究的热点。例如，美国DARPA提出的电子振兴计划就把架构创新作为三 ...

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半导体学报2020年第2期--面向高能效人工智能计算的可重构芯片技术专刊

阎军 2020-2-12 16:43

面向高能效人工智能计算的可重构芯片技术专刊以深度神经网络（DNN）为代表的人工智能（AI）处理大多都是计算密集型和存储密集型的计算任务。然而，传统CPU计算平台在处理这类工作任务时正面临越来越多的困难。可重构计算（RC）可以在硬件中执行计算以提高处理能力，同时还可以保留软件解决方案中的大部 ...

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半导体学报2020年第2期目次

阎军 2020-2-12 16:32

Special Issue on Reconfigurable Computing for Energy Efficient AI Microchip Technologies J. Semicond. Volume 41, Number 2, February 2020 COMMENTS AND OPINIONS Reconfigurable computing: a promising microchip architecture for artificial intelligence ...

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王占国院士：中远红外量子级联激光器——从概念到主流

阎军 2020-1-10 13:15

量子级联激光器（Quantum Cascade Lasers，QCLs）作为一种新颖的半导体相干光源，是“能带工程”与高精度低维材料外延技术相结合的光辉典范。区别于依赖导带电子-价带空穴复合的传统双极性带间半导体激光器，其利用单极性的电子在导带内分立的子带量子能级间辐射跃迁实现光增益，这些能级由基于分子束外延（MBE）或金属 ...

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专家视点：一种有效的半导体量子点纠缠光子源

阎军 2020-1-10 13:14

在最新出版的《半导体学报》2020年第1期上，中国科学院半导体所的赵超博士介绍了用于产生纠缠光子对的半导体量子点光源的研究进展。理想的纠缠光子源必须满足按需发射、高保真度、高亮度、高提取效率和高温操作等要求。此外为了贴近实用，最好与现在的固态体系兼容。从这一角度来讲，自组织的量子点是其中一个有希望的选 ...

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半导体学报2020年第1期——王占国院士从事科研工作60周年专刊

阎军 2020-1-10 10:42

王占国院士于1938年12月29日出生于中国河南省镇平县，是世界著名的半导体材料物理学家。王院士1962年毕业于南开大学物理系，并于同年到中国科学院半导体研究所工作至今。王院士在半导体材料和材料物理领域取得了杰出的成就。在早期职业生涯中，他致力于人造卫星用硅太阳能电池辐照效应以及和电子材料、器件和组件 ...

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