科学网—JOS的博文

中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-005）——二维材料电驱动发光器件

阎军 2022-4-24 08:21

1 工作简介 —— 二维材料电驱动发光器件以过渡金属硫族化合物为代表的二维半导体材料是继石墨烯之后国际上又一个研究焦点，凭借其独特的光电特性有望成为继InP、GaAs等III-V族半导体材料之后新一代的有源半导体材料。然而到目前为止，基于二 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-006）——中科院半导体所研制出波长小于360nm的AlGaN紫外激光器

阎军 2022-4-22 14:51

1 工作简介 —— 中科院半导体所研制出波长小于360nm的AlGaN紫外激光器 2022年1月，中科院半导体所集成光电子学国家重点实验室赵德刚研究员团队报道了铝镓氮（AlGaN）紫外激光器，电注入激射波长为357.9nm，输出功率约11mW。这是 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-004）——130000次：原位界面调控实现储能器件稳定循环

阎军 2022-4-8 10:35

1 工作简介 —— 130000次：原位界面调控实现储能器件稳定循环随着便携式电子产品数量的迅速增加以及全球对电动交通和智能电网的推动，亟需兼具大规模、可持续、环保和安全的长寿命、高能量/功率密度的电化学储能器件。湖南大学鲁兵安教 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-003）——拓扑腔面发射激光器

阎军 2022-4-7 08:30

1 工作简介 —— 拓扑腔面发射激光器半导体激光器体积最小、效率最高、波长最广，价格最低，是各类应用场景之首选，但出射功率低和光束质量差是其最大的瓶颈，难点更在于这两个指标一般无法同时提高：虽然增大器件尺寸可以提高激光功率，但 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-002）——表界面单原子调控制备高品质二维半导体材料

阎军 2022-3-23 14:00

1 工作简介 —— 表界面单原子调控制备高品质二维半导体材料在半导体器件不断向小型化、柔性化及高度集成化发展的主流趋势下，以过渡金属硫族化合物（TMDs）为代表的二维半导体材料，显示出独特的优势。它不仅具有超薄厚度（单原子或少原子 ...

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半导体学报2022年第3期——中文导读

阎军 2022-3-18 14:32

综述 1 基于静态随机存取存储器的存内计算研究综述：电路，功能以及应用近年来，硅基光电子技术由于其在高密度、高性能光电集成电路方面的巨大潜力而受到广泛的关注。它与CMOS技术的兼容性更进一步使其具备成为大规模、廉价光电子集成电路平台的潜力。但对于 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2022-001）——首次实现亚1纳米栅长晶体管

阎军 2022-3-18 14:23

1 工作简介 ——首次实现亚1纳米栅长晶体管晶体管作为芯片的核心元器件，更小的栅极尺寸能让芯片上集成更多的晶体管，并带来性能的提升。Intel公司创始人之一的戈登·摩尔（Gordon Moore）在1965提出：“集成电路芯片上可容纳的晶体管数目，每隔18-2 ...

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半导体学报2022年第2期——中文导读

阎军 2022-2-16 09:43

综述 1 基于硅基光子的雪崩光电探测器全球的数据传输量在过去数十年间迎来了迅猛且持续的增长，诸如云计算、人工智能、虚拟现实、物联网等新兴的应用仍不断地提升人们对于数据传输的需求。本世纪初，数据中心和超级计算机所需的海量数据传输就已经在带宽、功耗、串扰等方面触及了传 ...

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半导体学报2022年第1期——中文导读

阎军 2022-1-26 15:24

短通讯 1 357.9 nm GaN/AlGaN多量子阱紫外激光二极管 G aN 基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。 GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大，在消毒杀菌、病毒检测、激光加工、紫外固化等领域有重要的应用。 ...

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中国半导体十大研究进展候选推荐（2021-046）——时域存算一体AI芯片

阎军 2022-1-6 15:00

1 工作简介 —— 时域存算一体AI芯片清华大学集成电路学院尹首一教授团队在存算一体人工智能（AI）芯片方向取得突破。该团队设计的时域存算一体AI芯片TIMAQ，通过融合时域SRAM存内计算和数字可重构架构，克服了时域计算的高延迟瓶颈，可支 ...

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