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我国氮化镓蓝光半导体激光器成功实现室温连续激射
朱建军 2007-5-9 23:38
近日,中国科学院半导体研究所的一个研究团队宣布:室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继 2004 年 11 月 16 日氮化镓激光器首次在中国大陆实现脉冲激射后的又一个重大进展,标志着我国氮化镓( GaN )基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化方向有迈出了极为关键的、坚实的一大步。 这次 ...
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