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半导体科学技术与诺贝尔物理学奖

已有 895 次阅读 2021-6-27 18:05 |系统分类:科研笔记

半导体一直是物理学研究的重要内容之一,对半导体物理的研究揭示了很多重要的物理学现在。从1956年至今,半导体物理领域诞生了大概9个左右诺贝尔物理学奖。

编号

发现年代

现象

人物

获奖时间

1

1945-1947

晶体管的发明

J. Bardeen ()W.   B. Shockley ()、布拉顿()

1956

2

1957

隧道二极管

L. Easki()

1973

3

1958-1972

非晶态半导体理论

P. W. Anderson ()N.   F. Mott ()

1977

4

1958

集成电路

J. S. Kilby ()

2000

5

1962

半导体异质结

Z.   I. Alferov   ()

2000

6

1963

双异质结构激光器

H. Kroemer ()

2000

7

1980

MOSFET二维电子气中的整数霍尔效应

K. V. Klitzing ()

1985

8

1982

异质结中的分数量子霍尔效应

崔琦()H.   L. Stomer ()R. B. Laughlin()

1998

9

1993

蓝光发光二极管

赤崎勇()、中村修二()、天野浩()

2014

参考:

[1] 彭英才,傅广生,X.W.Zhao.半导体科学技术与诺贝尔物理学奖[J].物理,2004(09):692-696.

[2] https://physicsworld.com/a/nobel-prize-goes-to-semiconductor-pioneers/



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1 晏成和

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