中国科学院物理研究所清洁能源实验室化合物E03组从上个世纪80年代起便开展了GaAs基、GaN基、GeSi基化合物半导体材料及器件生长和制备的研发工作。几十年来在化合物半导体的外延生长、物性表征、器件加工等方面积累了丰富的经验和技巧。在上个世纪80年代，课题组层参与研制了国内第一台分子束外延设备，在化合物半导体的外延生长和器件制备这一研究领域上，课题组曾获得国家自然科学进步三等奖一项，中科院科技进步一等奖一项。近年来课题组在宽窄阱高内量子效率LED、湿法刻蚀悬臂梁生长、单芯片白光照明、GaAs基微电子和光电子材料生长及器件研制等方面取得一系列技术突破。

目前课题组现有研究员三人，助理研究员两人及多名博士研究生，并拥有半导体材料的外延生长和物性表征设备多台。

实验室网址：http://relcas.iphy.ac.cn/E03/index.html