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半导体学报2024年第1期——中文导读: 阎军 2024-4-3 15:21; 综述 1 GaN基紫外激光器氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。AlGaN是GaN基材料体系的重要部分，在紫外方面有独特的优势（其波段覆盖200-365 nm）。AlGaN紫外激光器由于波长短、光子能量大，在病毒检测、紫外固化 ...; 338 次阅读|没有评论

中国半导体十大研究进展候选推荐（2023-015）——一种CMOS兼容的低矫顽场三方相铁电Hf(Zr)1+xO2材料: 阎军 2023-10-10 14:51; 1 工作简介 —— 一种CMOS兼容的低矫顽场三方相铁电Hf(Zr) 1+x O 2 材料物联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。HfO 2 基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性、CMOS兼容等优 ...; 564 次阅读|没有评论

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