（2）电容器陶瓷

Ⅲ类电容器陶瓷介质又称为半导体陶瓷介质。主要用来制造用于低电压下工作的大电容量、小体积的电容器。要求这类电容器陶瓷介质具有介质层极薄、介电系数大、介电系数的温度变化小等性能。

①     表面层型，也称氧化层型。是指在半导体陶瓷的表面经过氧化处理行成极薄的绝缘薄层为介质。

②     阻挡层型。是利用半导体陶瓷的表面与电极形成的接触势垒层为介质。

③     晶界层型，也称为BL型。是利用半导体陶瓷中的半导体晶粒间的绝缘晶界层为介质。由于这种半导体陶瓷的半导体晶粒与极薄的绝缘晶界层相比，可认为半导体晶粒为电极，极薄的绝缘晶界层为介质，这样半导体陶瓷电容器可等效为很多小电容器的并联和串联。

Ⅲ类电容器陶瓷介质在同样的电容量下，体积可以非常小。

（3）压电陶瓷 Pb

（4）半导体陶瓷 敏感元器件、传感器等

功能陶瓷的电导 量子电导理论初步

波粒二象性

费米能级：绝对零度时，电子从最低能级向高能级排列，每个k状态上只允许存在两个自旋方向相反的电子，这种情况下的最高能级称为费米能级。

杂质、缺陷、热振动等是晶体电阻产生的根本原因。

功能陶瓷的电导 电导、电导率和电阻率

超导陶瓷和绝缘陶瓷是陶瓷的两种极端

漏导电流 绝缘电阻

电阻率ρ：单位电极面积，单位厚度的试样电阻

电导率σ：比电导或电导系数，单位为S/cm

电流密度J：单位面积电极上通过的电流大小