高效使用电能是实现经济-环境-社会三者和谐、可持续发展的重要环节，功率半导体器件是实现电能高效转换的核心与基础。基于碳化硅材料的功率器件相比传统硅基功率器件，具有耐压高、损耗小、频率高、效率高、散热好等优势，是新一代电力电子装置最具竞争力的功率“CPU”候选者。经过几十年的发展，目前碳化硅产业链日趋成熟，成本持续下降，下游接受度也开始提升，整个产业链处于行业爆发的前夜。在我国对全球做出“碳达峰、碳中和”历史承诺的背景下，碳化硅功率半导体器件面向新一代电力电子应用对高性能功率半导体器件的迫切需求，旨在通过其底层综合优势，自下而上，突破传统硅极限对应用发展的制约，为新能源汽车和充电桩、光伏逆变、不间断电源、轨道牵引、特高压输电等重点领域的发展带来新的机遇。

在喜迎党的百年华诞、“十四五”全面擘画之际，《电子与封装》计划于2022年2月第2期推出“碳化硅功率半导体器件”专题，现特向广大专家学者征集该领域内的高水平研究论文和综述，旨在集中反映该领域最新的研究成果及研究进展。

征稿方向：

碳化硅器件设计与制备技术   |    碳化硅器件可靠性研究   |   碳化硅器件封装与测试技术   |   碳化硅器件驱动与应用技术

非常欢迎其他“碳化硅功率半导体器件”相关论文!

特邀组稿专家：

邓小川   教授    电子科技大学      |      王　俊  教授   湖南大学

截稿日期：

2021年10月15日

投稿方式及格式：

 通过《电子与封装》官网进入“作者投稿”，按系统要求填写信息，上传稿件（留言标明“碳化硅功率半导体器件”专题投稿）。投稿模板及要求请参见作者中心首页。

联 系 人：史敏                  电    话：0510-85860386               邮    箱：ep.cetc58@163.com

特邀组稿专家个人简介：

邓小川，电子科技大学教授，博士生导师，一直从事宽禁带半导体碳化硅功率器件理论、模型、新结构和可靠性研究，在碳化硅功率器件领域主持承担了国家科技重大专项、国家重点研发计划、挑战计划项目、国家自然科学基金重点/面上项目等国家级、省部级和横向课题30余项；在半导体器件领域顶级期刊IEEE Trans. on Power Electronics、IEEE Electron Device Letter、IEEE Trans. Industrial Electronics、IEEE Trans. Electron Device以及本领域顶级会议ISPSD、ICSCRM等国际学术会议上发表论文80余篇；授权中国发明专利10余项，获得北京市科技发明二等奖。

王  俊，湖南大学电气与信息工程学院教授，博士生导师，长期从事功率半导体器件及其应用的研究。IEEE高级会员，IEEE JESTPE和IET Power Electronics期刊编委，发表SCI论文48篇，拥有3项授权美国发明专利、1项日本发明专利、18项中国专利。主持和承担了多个国家级、省部级和横向课题，和国内多家科研单位和企业联合开展了技术开发和项目合作，一些功率半导体及应用技术发明已实现产业化应用。