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- 半导体十大研究进展候选推荐（2025-056）——激光退火可实现钙钛矿太阳组件的快速、无降解环境加工
- 1 工作简介 —— 激光退火可实现钙钛矿太阳组件的快速、无降解环境加工 大面积可印刷钙钛矿光伏的产业化，核心受限于退火过程中晶体生长质量与环境稳定性难以兼顾的问题。高质量三维钙钛矿晶体的形成通常依赖于长时间热退火，而这一过程不可避免 ...
- 半导体十大研究进展候选推荐（2025-055）——突破SiC雪崩探测器技术瓶颈，新型结构实现低电压高增益探测
- 1 工作简介 —— 突破SiC雪崩探测器技术瓶颈，新型结构实现低电压高增益探测 在光电融合的今天， SiC作为宽禁带半导体的代表，不仅可作为高压大电流MOSFET和IGBT功率器件的核心材料，同时在光电探测领域发挥重要应用。SiC雪崩探测器（APD），由于能 ...
- 半导体十大研究进展候选推荐（2025-054）——异质结光电晶体管的多维信息感知芯片研制
- 1 工作简介 —— 异质结光电晶体管的多维信息感知芯片研制 三维信息感知在机器视觉、深空成像以及医疗诊断方面具备广泛的应用前景，包含物体深度信息的三维信息感知能够更加全面的感知物体的形态与光学特征。然而三维感知系统通常需要额外集成主动 ...
- 半导体十大研究进展候选推荐（2025-053）——二维范德华铁磁/非磁异质结中自旋依赖的轨道耦合诱导的巨磁阻效应
- 1 工作简介 —— 二维范德华铁磁/非磁异质结中自旋依赖的轨道耦合诱导的巨磁阻效应 磁阻效应是半导体传感与信息存储技术的核心物理效应之一。发展具有高灵敏度、低功耗且能在宽温区（尤其是室温）稳定工作的磁阻传感器，是信息技术领域的迫切需求，也 ...
- 半导体十大研究进展候选推荐（2025-052）——电驱动钙钛矿半导体激光器研制成功
- 1 工作简介 —— 电驱动钙钛矿半导体激光器研制成功 半导体激光器是信息技术领域的重要光源，但其依赖外延生长、精密刻蚀等复杂工艺，因此制造成本高、规模化集成难度大。钙钛矿半导体凭借光谱可调、光泵浦下超低激光阈值、可溶液加工等优 ...
- 半导体十大研究进展候选推荐（2025-051）——支持大规模语义媒体生成模型的全光计算芯片
- 1 工作简介 —— 支持大规模语义媒体生成模型的全光计算芯片 随着深度神经网络和大规模生成模型的迅猛演进，AI正以前所未有的速度革新世界。然而，规模爆炸式增长的生成模型带来超高算力和能耗需求，与传统芯片架构的性能增长速度已出现日 ...
- 半导体十大研究进展候选推荐（2025-050）——兆瓦级峰值功率胶体半导体量子点激光器
- 1 工作简介 —— 兆瓦级峰值功率胶体半导体量子点激光器 激光器输出功率是决定其应用前景的关键因素。胶体半导体量子点凭借其宽谱带可调谐和溶液加工特性，被视为极具潜力的激光介质。然而，其固有的低功率发射特性限制了实际应用。 在此背 ...
- 半导体十大研究进展候选推荐（2025-049）——通过能带工程实现高灵敏度和快速响应的日盲紫外光电探测器
- 1 工作简介 —— 通过能带工程实现高灵敏度和快速响应的日盲紫外光电探测器 日盲紫外（波段200-280 nm）探测在导弹预警、电晕放电监测、生化传感及保密通讯等领域具有不可替代的战略价值。然而，传统日盲探测器长期面临响应度与响应速度难以兼顾的 ...
- 半导体十大研究进展候选推荐（2025-048）——气-液-固-固（VLSS）生长高迁移率二维P型非层状β-Bi2O3单晶
- 1 工作简介 —— 气-液-固-固（VLSS）生长高迁移率二维P型非层状β-Bi 2 O 3 单晶 当硅基晶体管沟道微缩至10 nm以下，摩尔定律逼近物理极限，“短沟道效应”与“功耗墙”双重夹击令传统CMOS工艺步履维艰。原子级厚度的二维N/P型半导体因迁移率高、 ...
- 半导体十大研究进展候选推荐（2025-047）——超级钻石“六方金刚石”的人工合成
- 1 工作简介 —— 超级钻石“六方金刚石”的人工合成 从传统碳材料石墨、金刚石到富勒烯、石墨烯等低维碳材料的突破，碳的结构与性能持续刷新人类认知。其中，金刚石以其全sp 3 立方结构，集超宽禁带、极高热导率以及最高硬度等优异性能，作为国 ...
