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2022年半导体制造领域在欧专利的布局与竞争——法国原子能委员会、英特尔公司、京东方科技集团公司领先
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陈立新 张琳 黄颖：中美欧日韩五局专利报告3662.docx
█武汉大学科教管理与评价研究中心 陈立新 张琳 黄颖
第三部分 2022年欧洲专利统计分析报告
28 不同技术领域下世界各国及机构的在美专利布局和竞争
28.42 半导体制造领域的专利竞争态势
第42个技术领域是半导体制造，主要包括半导体及其部件的制造方法和设备。2022年，欧洲专利局在该领域共授权专利537项（增长率为-30%），占总授权量的0.7%，是专利数量第45多的领域。
2022年，美国在该领域获得专利权146项，占该领域专利授权总量的27%。中国在该领域做出专利发明37项，获得专利权37项，流失专利发明0项。日本和德国获得的专利权数量分别为129和45项。
表28.42-1 2022年各国半导体制造领域的专利发明和专利权数量
国家 和地区 | 发明 数量 | 专利权 数量 | 净流失 数量 | 专利 流失率 | 发明 份额 | 专利权 份额 | 份额 流失量 | |
1 | 美国 | 155 | 146 | 9 | 5.8% | 28.9% | 27.2% | 1.7% |
2 | 德国 | 43 | 45 | -2 | -4.7% | 8% | 8.4% | -0.4% |
3 | 日本 | 131 | 129 | 2 | 1.5% | 24.4% | 24% | 0.4% |
4 | 中国 | 37 | 37 | 0 | 0% | 6.9% | 6.9% | 0% |
5 | 法国 | 64 | 65 | -1 | -1.6% | 11.9% | 12.1% | -0.2% |
7 | 韩国 | 17 | 20 | -3 | -17.6% | 3.2% | 3.7% | -0.6% |
8 | 英国 | 10 | 6 | 4 | 40% | 1.9% | 1.1% | 0.7% |
9 | 意大利 | 7 | 7 | 0 | 0% | 1.3% | 1.3% | 0% |
10 | 荷兰 | 8 | 9 | -1 | -12.5% | 1.5% | 1.7% | -0.2% |
11 | 瑞士 | 9 | 9 | 0 | 0% | 1.7% | 1.7% | 0% |
12 | 瑞典 | 2 | 3 | -1 | -50% | 0.4% | 0.6% | -0.2% |
13 | 奥地利 | 12 | 12 | 0 | 0% | 2.2% | 2.2% | 0% |
14 | 加拿大 | 2 | 2 | 0 | 0% | 0.4% | 0.4% | 0% |
15 | 比利时 | 18 | 16 | 2 | 11.1% | 3.4% | 3% | 0.4% |
小计 | 537 | 537 | 0 | 0% | 100% | 100% | 0% |
注：本表分别按照专利第一发明人和第一权利人进行统计（中国的数据暂未包含香港、澳门、台湾地区的专利）。
图28.42-1 2022年各国半导体制造领域的专利发明和专利权数量对比
2022年，在半导体制造领域上获得欧洲专利授权最多的机构是法国原子能委员会、英特尔公司、京东方科技集团公司。
表28.42-2 2022年半导体制造领域专利授权前10机构
机构名称 | 国家 | 机构英文名称 | 2022 | 2021 | |
1 | 法国原子能委员会 | 法国 | Commissariat Energie Atomique | 35 | 25 |
2 | 英特尔公司 | 美国 | Intel Corp | 23 | 32 |
3 | 京东方科技集团公司 | 中国 | BOE Technology Group Co Ltd | 20 | 22 |
4 | 比利时微电子研究中心 | 比利时 | imec vzw | 13 | 18 |
5 | 信越化学工业株式会社 | 日本 | SHINETSU CHEMICAL CO | 11 | 9 |
6 | 意法绝缘体上硅公司 | 法国 | soitec silicon on insulator | 10 | 15 |
6 | 村田机械株式会社 | 日本 | MURATA MACHINERY LTD | 10 | 16 |
8 | 应用材料有限公司 | 美国 | APPLIED MATERIALS INC | 10 | 15 |
9 | 信越半导体株式会社 | 日本 | shinetsu handotai kk | 6 | 3 |
10 | 科天公司 | 美国 | KLA TENCOR CORP | 6 | 12 |
注：本表数据按照第一权利人进行统计。
图28.42-2 2022年半导体制造领域专利授权前10机构
致谢
感谢大连理工大学刘则渊教授、河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员对本报告的支持与帮助。同时，向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
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