2021年信息存储领域中国局专利的发展竞争态势——主要聚集在北京和台湾，海力士、美光、长江存储领先
2022-2-6 11:53
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陈立新 张琳 黄颖：中美欧日韩五局专利报告2033.docx
█武汉大学科教管理与评价研究中心 陈立新 张琳 黄颖
第一部分 2021年中国国家发明专利统计分析报告
8 细分技术领域下中国局专利的发展竞争态势
8.36 信息存储领域中国局专利的发展竞争态势
第36个技术领域是信息存储，主要包括磁存储、光盘存储、随机存储器，以及信息索引、数字存储器的读写装置。
图8.36-1 信息存储领域的中国局专利增长情况
2021年，中国局在信息存储领域上共授权专利2751项，比上一年增长29%，2014-2021年的平均增长率达到10%，是专利数量第53多的技术领域，可见我国在信息存储技术上的研发能力还有待提高。近年来，信息存储领域的专利增长较快，但波动较大。
表8.36-1 2021年各国信息存储领域的中国局专利数量
国家 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成比重 | |
1 | 中国 | 1714 | 62% | 0.3% |
2 | 日本 | 284 | 10% | 0.8% |
3 | 美国 | 373 | 14% | 1.3% |
4 | 德国 | 11 | 0% | 0.1% |
5 | 韩国 | 299 | 11% | 2.7% |
6 | 法国 | 11 | 0% | 0.3% |
7 | 瑞士 | 2 | 0% | 0.1% |
8 | 荷兰 | 11 | 0% | 0.5% |
9 | 瑞典 | 3 | 0% | 0.1% |
10 | 英国 | 8 | 0% | 0.4% |
11 | 意大利 | 9 | 0% | 0.6% |
12 | 新加坡 | 8 | 0% | 0.8% |
13 | 丹麦 | 0 | 0% | 0.0% |
14 | 其他 | 18 | 1% | 0.2% |
小计 | 2751 | 100% | 0.4% |
注：本表按照第一权利人进行统计。
我国国内的专利数量较多，占该技术领域专利份额的62%，比平均份额低18个百分点；另外，国内专利中有0.3%的专利属于该技术领域，表明我国在该领域上的技术构成比重较低。总体来看，我国国内专利在该领域上的技术构成比重低于美国、日本、韩国等国家，这说明我国在信息存储领域上的专利相对偏少，专利技术的发展不平衡，结构不合理。
表8.36-2 2021年国内各省市区信息存储领域专利数量
省区 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成 | |
1 | 广东 | 270 | 15.8% | 0.3% |
2 | 北京 | 327 | 19.1% | 0.4% |
3 | 江苏 | 114 | 6.7% | 0.2% |
4 | 浙江 | 68 | 4.0% | 0.1% |
5 | 山东 | 28 | 1.6% | 0.1% |
6 | 上海 | 186 | 10.9% | 0.6% |
7 | 安徽 | 78 | 4.6% | 0.3% |
8 | 湖北 | 159 | 9.3% | 0.7% |
9 | 四川 | 33 | 1.9% | 0.2% |
10 | 湖南 | 15 | 0.9% | 0.1% |
11 | 陕西 | 39 | 2.3% | 0.3% |
12 | 河南 | 15 | 0.9% | 0.1% |
13 | 福建 | 27 | 1.6% | 0.2% |
14 | 辽宁 | 5 | 0.3% | 0.0% |
15 | 重庆 | 5 | 0.3% | 0.1% |
16 | 河北 | 2 | 0.1% | 0.0% |
17 | 天津 | 15 | 0.9% | 0.2% |
18 | 台湾 | 309 | 18.0% | 4.4% |
19 | 江西 | 2 | 0.1% | 0.0% |
20 | 黑龙江 | 2 | 0.1% | 0.0% |
21 | 吉林 | 1 | 0.1% | 0.0% |
22 | 广西 | 1 | 0.1% | 0.0% |
23 | 山西 | 0 | 0.0% | 0.0% |
24 | 云南 | 5 | 0.3% | 0.1% |
25 | 贵州 | 1 | 0.1% | 0.0% |
26 | 甘肃 | 0 | 0.0% | 0.0% |
27 | 内蒙古 | 1 | 0.1% | 0.1% |
28 | 新疆 | 0 | 0.0% | 0.0% |
29 | 宁夏 | 0 | 0.0% | 0.0% |
30 | 海南 | 0 | 0.0% | 0.0% |
31 | 香港 | 5 | 0.3% | 0.5% |
32 | 青海 | 0 | 0.0% | 0.0% |
33 | 西藏 | 1 | 0.1% | 0.5% |
34 | 澳门 | 0 | 0.0% | 0.0% |
注：本表数据按照第一权利人统计。
2021年，北京获得该领域国家专利327项，占该领域的份额为19.1%，占本地区专利的0.4%；台湾获得该领域国家专利309项，占该领域份额的18.0%，占本地区专利的4.4%。北京和台湾在信息存储技术上的专利数量最多，表明这两地汇聚了大量的技术研发力量，是研发能力最强的地区。
图8.36-2 2021年国内各省市区信息存储领域专利的数量分布
整体来看，国内的发明专利高度集中在北京、台湾、广东、上海、湖北、江苏、安徽、浙江，这8个省区在2021年获得的专利数量共占国内的88.2%，是我国信息存储专利研发的重要地区。
图8.36-3 2021年国内各省市区信息存储领域专利的技术构成比重
另外，台湾、湖北、上海、西藏、香港、北京、安徽、广东在该领域上的技术构成比重较高，达到4.4%至0.3%，表明这些地区特别偏重信息存储技术的研发。
表8.36-3 2021年信息存储领域中国局专利授权前100家机构
机构名称 | 国家地区 | 专利数量 | 技术构成 | |
1 | 爱思开海力士有限公司 | 韩国 | 180 | 48% |
2 | 美光科技公司 | 美国 | 101 | 52% |
3 | 长江存储科技有限责任公司 | 中国湖北 | 85 | 12% |
4 | 华邦电子股份有限公司 | 中国台湾 | 80 | 62% |
5 | 三星电子株式会社 | 韩国 | 74 | 3% |
6 | 京东方科技集团股份有限公司 | 中国北京 | 71 | 2% |
7 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 中国台湾 | 46 | 7% |
8 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 | 37 | 42% |
9 | 株式会社东芝 | 日本 | 30 | 9% |
10 | 英特尔公司 | 美国 | 30 | 3% |
11 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 中国北京 | 30 | 43% |
12 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 中国江苏 | 28 | 3% |
13 | 东芝存储器株式会社 | 日本 | 28 | 33% |
14 | 华中科技大学 | 中国湖北 | 28 | 2% |
15 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 中国上海 | 23 | 14% |
16 | 华为技术有限公司 | 中国广东 | 22 | 0% |
17 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 中国上海 | 20 | 54% |
18 | 高通股份有限公司 | 美国 | 20 | 1% |
19 | 慧荣科技股份有限公司 | 中国台湾 | 19 | 30% |
20 | 中国科学院微电子研究所 | 中国北京 | 19 | 7% |
21 | 浙江工业大学 | 中国浙江 | 18 | 1% |
22 | 西部数据技术公司 | 美国 | 17 | 19% |
23 | 桑迪士克科技有限责任公司 | 美国 | 17 | 45% |
24 | 群联电子股份有限公司 | 中国台湾 | 17 | 68% |
25 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 中国上海 | 16 | 4% |
26 | 瑞萨电子株式会社 | 日本 | 16 | 10% |
27 | 力旺电子股份有限公司 | 中国台湾 | 16 | 57% |
28 | 芯天下技术股份有限公司 | 中国广东 | 15 | 71% |
29 | 友达光电股份有限公司 | 中国台湾 | 15 | 4% |
30 | 索尼公司 | 日本 | 13 | 1% |
31 | 长鑫存储技术有限公司 | 中国安徽 | 13 | 17% |
32 | 电子科技大学 | 中国四川 | 12 | 1% |
33 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 中国广东 | 12 | 3% |
34 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 中国上海 | 12 | 5% |
35 | 深圳市芯天下技术有限公司 | 中国广东 | 11 | 69% |
36 | 深圳忆联信息系统有限公司 | 中国广东 | 11 | 15% |
37 | 郑州云海信息技术有限公司 | 中国河南 | 10 | 1% |
38 | OPPO广东移动通信有限公司 | 中国广东 | 10 | 0% |
39 | 清华大学 | 中国北京 | 10 | 0% |
40 | 南亚科技股份有限公司 | 中国台湾 | 10 | 27% |
41 | 乐金显示有限公司 | 韩国 | 10 | 2% |
42 | 海光信息技术股份有限公司 | 中国天津 | 10 | 16% |
43 | 中山大学 | 中国广东 | 9 | 1% |
44 | 安徽大学 | 中国安徽 | 9 | 3% |
45 | 西安紫光国芯半导体有限公司 | 中国陕西 | 9 | 45% |
46 | 联想（北京）有限公司 | 中国北京 | 9 | 1% |
47 | 北京字节跳动网络技术有限公司 | 中国北京 | 8 | 1% |
48 | 联发科技股份有限公司 | 中国台湾 | 8 | 3% |
49 | 上海华力微电子有限公司 | 中国上海 | 8 | 5% |
50 | 硅存储技术公司 | 美国 | 8 | 80% |
51 | 山东大学 | 中国山东 | 8 | 0% |
52 | 中科院微电子研究所南京智能技术研究院 | 中国江苏 | 8 | 50% |
53 | 意法半导体股份有限公司 | 意大利 | 8 | 8% |
54 | 中电海康集团有限公司 | 中国浙江 | 8 | 21% |
55 | 力晶积成电子制造股份有限公司 | 中国台湾 | 7 | 35% |
56 | 展讯通信（上海）有限公司 | 中国上海 | 7 | 2% |
57 | 宁波大学 | 中国浙江 | 7 | 2% |
58 | 希捷科技有限公司 | 美国 | 7 | 29% |
59 | 西安格易安创集成电路有限公司 | 中国陕西 | 7 | 100% |
60 | 中天弘宇集成电路有限责任公司 | 中国上海 | 7 | 88% |
61 | 惠科股份有限公司 | 中国广东 | 7 | 2% |
62 | 西安交通大学 | 中国陕西 | 6 | 0% |
63 | 联华电子股份有限公司 | 中国台湾 | 6 | 4% |
64 | 北京航空航天大学 | 中国北京 | 6 | 0% |
65 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 中国广东 | 6 | 0% |
66 | 阿里巴巴集团控股有限公司 | 开曼群岛 | 6 | 1% |
67 | 天津大学 | 中国天津 | 6 | 0% |
68 | 珠海博雅科技有限公司 | 中国广东 | 6 | 50% |
69 | 马维尔亚洲私人有限公司 | 新加坡 | 6 | 15% |
70 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 美国 | 6 | 3% |
71 | 晶晨半导体（上海）股份有限公司 | 中国上海 | 5 | 9% |
72 | 珠海格力电器股份有限公司 | 中国广东 | 5 | 0% |
73 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 中国湖北 | 5 | 6% |
74 | 国际商业机器公司 | 美国 | 5 | 5% |
75 | 武汉天马微电子有限公司 | 中国湖北 | 5 | 2% |
76 | 广州视源电子科技股份有限公司 | 中国广东 | 5 | 1% |
77 | 北京时代民芯科技有限公司 | 中国北京 | 5 | 10% |
78 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 中国台湾 | 5 | 3% |
79 | 苏州互盟信息存储技术有限公司 | 中国江苏 | 5 | 56% |
80 | 南京邮电大学 | 中国江苏 | 5 | 1% |
81 | 新唐科技股份有限公司 | 中国台湾 | 5 | 9% |
82 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 中国江苏 | 5 | 9% |
83 | 三星显示有限公司 | 韩国 | 5 | 1% |
84 | 西安电子科技大学 | 中国陕西 | 5 | 0% |
85 | 武汉华星光电技术有限公司 | 中国湖北 | 5 | 2% |
86 | 厦门天马微电子有限公司 | 中国福建 | 5 | 1% |
87 | 浙江大学 | 中国浙江 | 5 | 0% |
88 | 珠海创飞芯科技有限公司 | 中国广东 | 5 | 63% |
89 | 中南大学 | 中国湖南 | 5 | 0% |
90 | 北京小米移动软件有限公司 | 中国北京 | 5 | 0% |
91 | 索尼半导体解决方案公司 | 日本 | 5 | 5% |
92 | ARM有限公司 | 英国 | 4 | 5% |
93 | 意法半导体（鲁塞）公司 | 法国 | 4 | 9% |
94 | 深圳大学 | 中国广东 | 4 | 1% |
95 | 松下知识产权经营株式会社 | 日本 | 4 | 0% |
96 | 英飞凌科技股份有限公司 | 德国 | 4 | 2% |
97 | 复旦大学 | 中国上海 | 4 | 1% |
98 | 上海兆芯集成电路有限公司 | 中国上海 | 4 | 8% |
99 | 广东小天才科技有限公司 | 中国广东 | 4 | 1% |
100 | 平安科技（深圳）有限公司 | 中国广东 | 4 | 1% |
注：本表数据按照第一权利人进行统计。
2021年，在信息存储领域上获得中国局专利授权最多的机构是爱思开海力士有限公司，其次是美光科技公司和长江存储科技有限责任公司。
图8.36-4 2021年信息存储领域中国局专利授权前30家机构
从技术构成上看，芯天下技术股份有限公司、群联电子股份有限公司等机构的比重较高，均超过68%，这些机构在该领域有较多的专利份额，信息存储技术是其研发重点，其专业化研发程度较高。
图8.36-5 2021年30家机构的信息存储技术构成比重
致谢
感谢河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授对本报告的大力支持与帮助。同时，向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
附表8.36-1 2021年信息存储领域中国局授权发明专利
| 201410773053.7 | 减振装置及包含该减振装置的电子装置和移动设备 | 谭迪 | 3M创新有限公司 |
| 201680058351.5 | 数据存储介质基板用玻璃、数据存储介质用玻璃基板以及磁盘 | 前田枝里子 | AGC株式会社 |
| 201680058996.9 | 存储器写入驱动、方法、和系统 | 巴尔·S·桑德胡 | ARM有限公司 |
| 201780012536.7 | 用于生成随机数的设备和方法 | 卢西恩·施弗伦 | ARM有限公司 |
| 201510346582.3 | 存储设备中的读取辅助技术 | 尼古拉斯·范维克霍夫 | ARM有限公司 |
| 201680058941.8 | 可编程电压参考 | 巴尔·S·桑德胡 | ARM有限公司 |
| 201880060448.9 | 研磨液、玻璃基板的制造方法以及磁盘的制造方法 | 泷泽利雄 | HOYA株式会社 |
| 201810648377.6 | 圆环状基板、磁盘用基板及其制造方法、磁盘及其制造方法 | 玉置将德 | HOYA株式会社 |
| 201910743784.X | 磁盘用玻璃基板及其制造方法、磁盘和玻璃基板中间体 | 东修平 | HOYA株式会社 |
| 201880018389.9 | 磁盘用基板和磁盘 | 越阪部基延 | HOYA株式会社 |
| 201910698525.X | 基板的制造方法、基板端面的加工装置、基板端面的加工方法和磨削用磨石 | 小泽广昭 | HOYA株式会社 |
| 201910343724.9 | 研磨垫原材料、研磨垫的制造方法、磁盘用基板的制造方法和磁盘的制造方法 | 山城祐治 | HOYA株式会社 |
| 201911197818.6 | 固定磨粒磨石以及基板的制造方法 | 石井智 | HOYA株式会社 |
| 202010052683.0 | 用于磁盘的玻璃基板的磁盘的玻璃毛坯 | 村上明 | HOYA株式会社 |
| 201810862693.3 | 磁盘用玻璃基板的制造方法 | S潘尼 | HOYA株式会社 |
| 201680037143.7 | 磁记录介质基板用玻璃、磁记录介质基板和磁记录介质 | 下岛胜治 | HOYA株式会社 |
| 201910948533.5 | 圆环状的玻璃坯板及制造方法、圆环状的玻璃基板的制造方法和磁盘用玻璃基板的制造方法 | 东修平 | HOYA株式会社 |
| 201980004601.0 | 间隔件、基板的层积体、基板的制造方法和磁盘用基板的制造方法 | 高野正夫 | HOYA株式会社 |
| 201880033201.8 | 玻璃间隔件和硬盘驱动器装置 | 高野正夫 | HOYA株式会社 |
| 201911146938.3 | 光盘装置、光盘旋转位置检测方法以及光盘 | 山本雅弘 | JVC建伍株式会社 |
| 201780004702.9 | 光学相位差构件、具备光学相位差构件的复合光学构件、及光学相位差构件的制造方法 | 后藤正直 | JXTG能源株式会社 |
| 201880003684.7 | 溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体 | 清水正义 | JX金属株式会社 |
| 201780078345.0 | 气流溅射装置、气流溅射用靶以及溅射靶原料的制造方法 | 小庄孝志 | JX金属株式会社 |
| 201780078453.8 | 气流溅射装置以及溅射靶原料的制造方法 | 小庄孝志 | JX金属株式会社 |
| 201680081811.6 | 用于减小磁头-介质间隔的读/写磁头的主动控制 | 卡里姆·卡德切 | L2驱动有限公司 |
| 201480081084.4 | 编码器和解码器系统及提供数字音频信号的方法 | 彼得·格雷厄姆·克雷文 | MQA 有限公司 |
| 201811056543.X | 用于电子元件的检测装置和利用其进行故障测试的方法 | 韦拓明 | OPPO(重庆)智能科技有限公司 |
| 201610228164.9 | 信息处理方法、装置和终端设备 | 陈一槐 | OPPO广东移动通信有限公司 |
| 201910374658.1 | 录音方法及相关装置 | 方攀 | OPPO广东移动通信有限公司 |
| 201810677819.X | 回忆视频的背景音乐确定方法及相关设备 | 陈标 | OPPO广东移动通信有限公司 |
| 201810165901.4 | 一种多媒体文件的无缝播放方法、终端设备及存储介质 | 龙俊卫 | OPPO广东移动通信有限公司 |
| 201810100230.3 | 多通道录音方法、装置及电子设备 | 杨宗业 | OPPO广东移动通信有限公司 |
| 201810316091.8 | 一种播放音频数据的方法、装置、存储介质及智能终端 | 候祥 | OPPO广东移动通信有限公司 |
| 201711226853.7 | 录屏方法、装置、终端及存储介质 | 张烨 | OPPO广东移动通信有限公司 |
| 201910904131.5 | 控制电路及其应用的显示面板 | 王添鸿 | TCL华星光电技术有限公司 |
| 201711007372.7 | 自旋轨道转矩型磁化反转元件及磁存储器 | 盐川阳平 | TDK株式会社 |
| 201711002917.5 | 自旋轨道转矩型磁阻效应元件及其制造方法 | 佐佐木智生 | TDK株式会社 |
| 201711057038.2 | 磁存储器 | 佐佐木智生 | TDK株式会社 |
| 201680068776.4 | 自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件和磁存储器 | 盐川阳平 | TDK株式会社 |
| 201680055009.X | 用于闭合件保护的吸附剂通气装置 | 陆小春 | W.L.戈尔及同仁股份有限公司 |
| 201610070134.X | 用于通过控制预充电持续时间降低存储器电路中的功耗的方法和装置 | R·库马尔 | 阿尔特拉公司 |
| 201710653260.2 | 用于改进闪存存储器存储延迟和鲁棒性的方法和设备 | 李舒 | 阿里巴巴集团控股有限公司 |
| 201910079558.6 | 使用预测数据位置来增加存储面密度 | 李舒 | 阿里巴巴集团控股有限公司 |
| 201710112000.4 | 为高速缓存应用使用降级闪存裸片的方法及架构、固态驱动器 | 李舒 | 阿里巴巴集团控股有限公司 |
| 201711458094.7 | 歌曲的生成方法、装置和系统及数据处理和歌曲播放方法 | 曹良博 | 阿里巴巴集团控股有限公司 |
| 201710781282.7 | 固态盘SSD及高可用性PCIe SSD的方法和系统 | 李舒 | 阿里巴巴集团控股有限公司 |
| 201711236599.9 | 一种语音编辑方法以及装置 | 谭啸 | 阿里巴巴集团控股有限公司 |
| 201810116596.X | 使用彼此区分的信号修正传感器的光学引导系统和方法 | 爱德华·道斯基 | 阿森蒂亚影像有限公司 |
| 201580084597.5 | 用于减少泄漏的SRAM架构 | 巴巴克·穆罕默迪 | 艾克斯安耐杰克有限公司 |
| 201510568658.7 | 数据读出电路 | 见谷真 | 艾普凌科有限公司 |
| 201610866285.6 | 非易失性存储装置 | 见谷真 | 艾普凌科有限公司 |
| 201811002861.8 | 存储器装置及其控制方法以及控制存储器装置的方法 | 权锡千 | 艾思科有限公司 |
| 201680031502.8 | 存储器装置和控制存储器装置中的超深掉电模式的方法 | D·刘易斯 | 爱德斯托科技有限公司 |
| 201710073331.1 | 存储器装置、控制存储器装置的方法和设备 | B·M·佩德森 | 爱德斯托科技有限公司 |
| 201680041211.7 | 控制电阻式切换存储器单元的方法和半导体存储器装置 | J·丁 | 爱德斯托科技有限公司 |
| 201710616477.6 | 铁电存储元件 | 陈文良 | 爱普储存装置（美国）公司 |
| 201711474765.9 | 具有可变长度分量的广义低密度奇偶校验码 | 内维·库马尔 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710734849.5 | 内部时钟发生电路 | 张圣泉 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710888322.8 | 半导体存储装置 | 金定焕 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610244371.3 | 半导体器件以及包括半导体器件的半导体系统 | 郑元敬 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201711114328.6 | 非易失性存储器件及其操作方法 | 权正贤 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201711337226.0 | 层叠式半导体器件 | 金支焕 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201711138877.7 | 数据存储装置及其操作方法 | 朴振 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710930601.6 | 存储设备及其写入和读取方法、以及存储系统 | 权敬桓 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510627038.6 | 输出状态失败信号的半导体存储器件及其操作方法 | 梁赞祐 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710958576.2 | 存储装置 | 崔愚根 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710992631.X | 半导体存储器装置及其操作方法 | 李熙烈 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201611044291.X | 包括子共源极的非易失性存储器装置 | 吴星来 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201711157673.8 | 半导体器件及半导体系统 | 宋清基 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710805174.9 | 锁存控制信号发生电路和半导体器件 | 金昌铉 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710969117.4 | 半导体存储装置 | 金明珍 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201711013055.6 | 存储器装置及其操作方法 | 李熙烈 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201711213007.1 | 储存装置及其操作方法 | 徐智贤 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710598819.6 | 存储器系统及其操作方法 | 金守年 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510004083.6 | 智能刷新器件 | 洪德和 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201611242148.1 | 半导体存储器件及其操作方法 | 金六姬 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710265883.2 | 阻变存储器件及其感测方法 | 河泰政 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610514768.X | 存储器系统及其操作方法 | 李宗珉 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610810412.0 | 半导体存储设备及其操作方法 | 李熙烈 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610258640.1 | 半导体器件和包括其的半导体系统 | 蔡行善 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610348474.4 | 存储器装置及其操作方法 | 金泰均 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710541419.1 | 用于储存多比特位数据的EPROM器件及EPROM器件的读取电路 | 宋贤旻 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510347610.3 | 数据储存器件及其操作方法 | 金世玹 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610633569.0 | 存储器系统的操作方法 | 李炯珉 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710718091.6 | 存储器件及包括其的系统 | 金钟三 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610843664.3 | 半导体存储器件及其操作方法 | 朴钟庆 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610115548.X | 包括三维阵列结构的半导体存储器件和包括其的存储系统 | 安正烈 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510509325.7 | 半导体存储器件及其操作方法 | 朴玟相 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610056677.6 | 包括半导体存储装置的存储系统及其操作方法 | 金台勋 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710102575.8 | 控制电路、外围电路、半导体存储器件及其操作方法 | 金道霓 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610879356.6 | 存储装置及其操作方法 | 李熙烈 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710024050.7 | 加电复位电路和包括其的半导体存储器件 | 李炫哲 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710778063.3 | 占空比校正器件及包括其的半导体器件 | 崔谨镐 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710785592.6 | 刷新控制器件 | 金大石 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610791220.X | 电子设备及其驱动方法 | 尹正赫 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510559976.7 | 熔丝单元电路、熔丝单元阵列及包括其的存储器件 | 李康设 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201410855038.7 | 半导体器件 | 朴嘉蓝 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201610147020.0 | 半导体存储器件 | 李熙烈 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610833446.1 | 具有改进的硬解码吞吐量的VSS LDPC解码器 | 阿伯哈莱姆·普拉巴卡尔 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201610815774.9 | 电子设备及其驱动方法 | 尹正赫 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510402466.9 | 数据存储装置及其操作方法 | 田明云 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610616978.X | 数据存储装置及其操作方法 | 朴晌贤 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201610237167.9 | 数据处理器件及其操作方法 | 赵庆来 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201510785583.8 | 周期信号发生电路和包括其的半导体系统 | 朴明宰 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201410753481.3 | 锁存电路及包括锁存电路的半导体器件 | 池性洙 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201710702357.8 | 半导体器件、半导体系统及其方法 | 金载镒 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710080929.3 | 采用横向双极结型晶体管的反熔丝非易失性存储器件 | 崔光一 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610323637.3 | 用于TURBO乘积码的误校正避免 | 哈曼·巴蒂亚 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610851524.0 | 用于抑制读取干扰的非易失性存储器件 | 郑会三 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710057877.8 | 存储器装置及其操作方法 | 徐智贤 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510107843.6 | 地址发生电路和具有该地址发生电路的存储器件 | 郑喆文 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510355746.9 | 存储系统及其操作方法 | 申东才 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610108445.0 | 储存器件及其操作方法 | 李熙烈 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610862651.0 | 存储器件 | 尹泰植 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710700651.5 | 感测放大器、存储装置及包括其的系统 | 姜奭准 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510115544.7 | 存储器件 | 金相熺 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710850851.9 | 阻变存储装置 | 姜材锡 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201610592876.9 | 刷新控制装置 | 姜珉秀 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610687019.7 | 存储器系统及其操作方法 | 李宗珉 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710545380.0 | 半导体存储装置 | 朴宣奎 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710189261.6 | 数据存储装置及其操作方法 | 安秀洪 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510508084.4 | 数据储存设备及用于操作该数据储存设备的方法 | 金 美 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510745542.6 | 半导体器件及其操作方法 | 全裕男 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610118031.6 | 数据储存设备及其操作方法 | 白承杰 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201710524262.1 | 延长阻变存储器寿命的方法和使用其的数据储存系统 | 金善郁 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510256057.2 | 半导体器件及其操作方法 | 韩周玹 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510357965.0 | 半导体装置 | 高在范 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201611041666.7 | 电子设备 | 任爀祥 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710038501.2 | 非易失性存储装置及其电阻补偿电路 | 金泰镐 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201510455742.8 | 半导体存储器设备及其操作方法 | 李炯珉 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510105338.8 | 半导体器件 | 安致昱 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510765427.5 | 固态储存系统中的读取阈值校准 | 张帆 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201810156840.5 | 存储模块和包括其的存储系统 | 金宽东 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710287162.1 | 数据存储装置及其操作方法 | 千东烨 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710619149.1 | 存储器系统及其操作方法 | 朴振 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710687648.4 | 存储器装置及其操作方法 | 张帆 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201611115728.4 | 数据存储装置及其操作方法 | 金宰范 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710896237.6 | 半导体器件及其操作方法 | 郑亨洙 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610331443.8 | 用于快闪存储的广义乘积码 | 内维·库马尔 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710524822.3 | 半导体器件 | 金庚焕 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610147666.9 | 字线驱动器、半导体存储设备及使用它们的测试方法 | 南相润 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610217401.1 | 包括片上错误校正码电路的存储器件和系统 | 白珍浩 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710993368.6 | 感测放大器、存储装置以及包括其的系统 | 姜奭准 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710218106.2 | 执行校准操作的半导体器件以及半导体系统 | 郑海康 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710684765.5 | 半导体存储装置及其操作方法 | 严浩锡 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710866068.1 | 存储系统及其操作方法 | 权正贤 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710966396.9 | 半导体存储装置 | 郑想勋 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710853633.0 | 半导体存储器件 | 金珍儿 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201610334654.7 | 半导体器件和半导体系统 | 朴敏洙 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710145925.9 | 用于切换电压的装置及具有其的半导体存储器装置 | 李在浩 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201410658663.2 | 存储器件、存储系统和操作存储器件的方法 | 李东郁 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201710762282.2 | 半导体系统 | 玄相娥 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201710874031.3 | 集成电路 | 金昌铉 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201711130371.1 | 包括电容器的半导体存储装置 | 成象铉 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710833271.9 | 半导体器件 | 金昌铉 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710659273.0 | 存储器系统及其操作方法 | 辛崇善 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710539414.5 | 存储器系统及其操作方法 | 金志烈 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201710992623.5 | 占空比校正电路及方法 | 郑尧韩 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201711079745.1 | 半导体器件 | 李教允 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201510568044.9 | 电子设备及其操作方法 | 金炫植 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201710977775.8 | 半导体存储器件 | 郑想勋 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710970748.8 | 存储器件、包括其的存储系统以及存储系统的操作方法 | 边相镇 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201711017329.9 | 电子器件 | 李基远 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201711114093.0 | 存储器模块、包括其的存储系统及其错误校正方法 | 朴钟现 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201710977716.0 | 能够测量温度的存储器模块及使用其的系统 | 尹铉柱 | 爱思开海力士有限公司 |
| 201611025104.3 | 半导体存储器件及其操作方法 | 李钟妴 | 爱思开海力士有限公司 |
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| 201980048598.2 | 错置消减算法 | G罗里 | 美光科技公司 |
| 202010080788.7 | 存储器装置中的电容组件的动态分配 | F·巴德瑞尔 | 美光科技公司 |
| 201880074072.7 | 多偏置电平生成和内插 | R·斯里拉曼尼 | 美光科技公司 |
| 202010761402.9 | 缓冲器中的补偿偏移以及相关系统、方法及装置 | 染谷稔 | 美光科技公司 |
| 201980029732.4 | 用于存储器单元阵列的存取线管理的方法和设备 | D·维梅尔卡蒂 | 美光科技公司 |
| 201880044014.X | 存储器决策反馈均衡器测试 | R·斯里拉曼尼 | 美光科技公司 |
| 201580056789.5 | 用于经划分的SGS线的设备及方法 | 潘锋 | 美光科技公司 |
| 201880043263.7 | 用于使用共享地址路径在存取存储器排组的同时刷新另一存储器排组的系统和方法 | J·李 | 美光科技公司 |
| 201680012413.9 | 用于存储器装置的设备及方法以作为程序指令的存储 | J·T·扎沃德恩 | 美光科技公司 |
| 201880043264.1 | DQS偏移和READ-RT T-OFF边缘控制 | K·马组德尔 | 美光科技公司 |
| 201780024670.9 | 用于存储器单元的接地参考方案 | D·维梅尔卡蒂 | 美光科技公司 |
| 201880044029.6 | 存储器决策反馈均衡器 | J·E·泰勒 | 美光科技公司 |
| 201680012783.2 | 用于数据移动的设备及方法 | G·E·胡申 | 美光科技公司 |
| 201680029604.6 | 磁隧道结 | 强纳森·D·哈玛斯 | 美光科技公司 |
| 201910816281.0 | 用于逻辑/存储器装置的设备及方法 | R墨菲 | 美光科技公司 |
| 201780038377.8 | 库到库数据传送 | T·K·马伊 | 美光科技公司 |
| 201611050680.3 | 对存储器的连续页面读取 | 沈骏 | 美光科技公司 |
| 201880040808.9 | 存储器装置中的分布式模式寄存器 | T·K·马伊 | 美光科技公司 |
| 201880062750.8 | 扩展写入前导期间的选通/时钟相位容限的管理 | D彭妮 | 美光科技公司 |
| 201910378466.8 | 单元电压累积放电 | A·S·埃尔曼苏里 | 美光科技公司 |
| 201680025908.5 | 磁性隧道结 | 曼札拉·西迪克 | 美光科技公司 |
| 201811142167.6 | 支持双模式调制的存储器系统 | R·N·哈斯布恩 | 美光科技公司 |
| 201780038707.3 | 存储器单元的印痕避免 | A·卡德罗尼 | 美光科技公司 |
| 201911072543.3 | 用于数据结构的专用读取电压 | M·斯福尔津 | 美光科技公司 |
| 201910364982.5 | 降低电流模式逻辑发射器中的供电噪声 | J·屈尔魏因 | 美光科技公司 |
| 201880076543.8 | 存储器决策反馈均衡器偏压电平生成 | R·斯里拉曼尼 | 美光科技公司 |
| 201680010965.6 | 存储器中的最长元素长度确定 | 桑贾伊·蒂瓦里 | 美光科技公司 |
| 201910955878.3 | 使用感测放大器基于对存取线预充电进行存储器单元感测 | D·维梅尔卡蒂 | 美光科技公司 |
| 201580061008.1 | 执行封装后修整的设备及方法 | 艾伦·J·威尔逊 | 美光科技公司 |
| 201880051479.8 | 可替换存储器 | A·CS·马赫什 | 美光科技公司 |
| 201910418495.2 | 用于间隙等效系统及方法的DRAM感测放大器有源匹配填充特征 | S·V·科莱 | 美光科技公司 |
| 201880076986.7 | 存储器装置并行化器 | D彭妮 | 美光科技公司 |
| 201910655743.5 | 具有时序调整机构的电子装置 | 时丹 | 美光科技公司 |
| 201880055606.1 | 确定存储器单元的数据状态 | T·瓦利 | 美光科技公司 |
| 201580043320.8 | 增强相变存储器单元中的成核 | 阿戈斯蒂诺·皮罗瓦诺 | 美光科技公司 |
| 201910486891.9 | 阵列板短路修复 | S·J·洛维特 | 美光科技公司 |
| 201880021755.6 | 用于存储器内操作的设备及方法 | P·V·莱亚 | 美光科技公司 |
| 201680012339.0 | 用于并行写入到多个存储器装置位置的设备及方法 | J·T·扎沃德恩 | 美光科技公司 |
| 201680012913.2 | 用于移位决定的装置及方法 | G胡申 | 美光科技公司 |
| 201880042969.1 | 用于频率模式检测和实施的系统和方法 | K·马组德尔 | 美光科技公司 |
| 201910382679.8 | 每个通路的占空比校正 | J·E·克林 | 美光科技公司 |
| 201611113948.3 | 用于使用感测电路执行逻辑运算的设备及方法 | 特洛伊曼宁 | 美光科技公司 |
| 201880064072.9 | 多相位时钟分割 | D彭妮 | 美光科技公司 |
| 201880055583.4 | 外围填充和局部电容 | C·J·卡瓦姆拉 | 美光科技公司 |
| 201911318845.4 | 在读取电路中调谐电压 | G·B·雷德 | 美光科技公司 |
| 201911039038.9 | NAND读取命令的动态延迟 | D帕尔默 | 美光科技公司 |
| 201880065789.5 | 擦除页面检查 | 罗婷 | 美光科技公司 |
| 201710970307.8 | 处于邻近数据状态之间的谷值中的存储器单元状态 | 西瓦格纳纳穆·帕塔萨拉蒂 | 美光科技公司 |
| 201880055104.9 | 存储器内处理 | P·V·莱亚 | 美光科技公司 |
| 201710445168.7 | 存储器及感测参数确定方法 | 沈震雷 | 美光科技公司 |
| 201880038003.0 | 存储器单元的基于时间存取 | U·迪温琴佐 | 美光科技公司 |
| 201880050599.6 | 数据状态同步 | M·达拉波拉 | 美光科技公司 |
| 201880076980.X | 用于在存储器装置的信号质量操作中节省功率的系统及方法 | M霍 | 美光科技公司 |
| 201880076843.6 | 用于存储器装置的写入操作的决策反馈均衡器调节 | D·B·彭妮 | 美光科技公司 |
| 201880077313.3 | 存储器装置的并行化器中的DQS门控 | D彭妮 | 美光科技公司 |
| 201880055299.7 | 具有可重新配置的充电机构的电子装置 | M·皮卡尔迪 | 美光科技公司 |
| 201611043499.X | 具有单端主I/O线的半导体装置 | 松井良德 | 美光科技公司 |
| 202010066963.7 | 垂直解码器 | A·雷达埃利 | 美光科技公司 |
| 202010225033.1 | 用于排放泄漏电流的系统和装置 | 褚炜路 | 美光科技公司 |
| 201810573822.7 | 存储器中子阵列之间的数据传送 | J·T·扎沃德恩 | 美光科技公司 |
| 201810620747.5 | 同时进行数据路径中计算操作的设备及方法 | P·V·莱亚 | 美光科技公司 |
| 201880065782.3 | 在高热条件下提高NAND性能 | S琼 | 美光科技公司 |
| 201880083105.4 | 存储器中的实质隐含操作 | A·皮罗瓦诺 | 美光科技公司 |
| 201680012724.5 | 用于编程抑制的方法和装置 | Y·卢特拉 | 美光科技公司 |
| 201880027319.X | 存取存储器中的数据 | T·P·芬克拜纳 | 美光科技公司 |
| 201580044181.0 | 使用多电平通过信号对存储器进行编程 | 夏安·桑德·瑞胡那森 | 美光科技公司 |
| 201710714174.8 | 分段式存储器及操作 | 丹沢彻 | 美光科技公司 |
| 201911303448.X | 具有电荷转移装置的存储器装置 | G·B·雷德 | 美光科技公司 |
| 201880087738.2 | 用于时钟信号抖动产生的技术 | T戈姆 | 美光科技公司 |
| 201880077043.6 | 写入电平仲裁者电路 | D彭妮 | 美光科技公司 |
| 201980009134.0 | 半宽度双泵数据路径 | M哈德里克 | 美光科技公司 |
| 201980011920.4 | 具有耦合电容的自我参考感测方案 | M·贾迈利 | 美光科技公司 |
| 201880071982.X | 存储器系统及操作其的方法 | A·S·马德拉斯瓦拉 | 美光科技公司 |
| 201910791227.5 | 系统级时序预算改进 | K-Y·金 | 美光科技公司 |
| 201880047927.7 | 用于存储器装置中的锁存的偏移消除 | D·维梅尔卡蒂 | 美光科技公司 |
| 201880083594.3 | 利用嵌入式刷新进行漂移减轻 | I·托尔托雷利 | 美光科技公司 |
| 201880062190.6 | 用于存储器决策反馈均衡器的电压参考计算 | R·斯里拉曼尼 | 美光科技公司 |
| 201880086688.6 | 用于存储器决策反馈均衡器的电压校正计算 | 吴俊 | 美光科技公司 |
| 201880054339.6 | 裸片上终止架构 | K·马组德尔 | 美光科技公司 |
| 201880041821.6 | 用于存储器装置中的多种操作模式的共享地址计数器 | 大卫布朗 | 美光科技公司 |
| 201980018444.9 | 内部写入均衡电路系统 | M-B彭妮 | 美光科技公司 |
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| 201911193365.X | 电子装置中的泄漏电流降低 | 赤松广志 | 美光科技公司 |
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| 201911348517.9 | 使用电荷转移装置的感测技术 | G·B·雷德 | 美光科技公司 |
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| 201880071516.1 | 数据选通门控 | D彭妮 | 美光科技公司 |
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| 201710990270.5 | 等化器调校方法、信号接收电路及存储器存储装置 | 陈圣文 | 群联电子股份有限公司 |
| 201811024655.7 | 存储器测试方法与存储器测试系统 | 林小东 | 群联电子股份有限公司 |
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| 201810562666.4 | 数据写入方法、存储器控制器与存储器存储装置 | 林纬 | 群联电子股份有限公司 |
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| 201811117140.1 | 磁盘驱动器悬架的电路构件 | 山田幸惠 | 日本发条株式会社 |
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| 201680004548.0 | 通信接口初始化 | D·M·詹金斯 | 西部数据技术公司 |
| 201811282381.1 | 采用多模式传感电路用于多个头部传感器元件的数据存储设备 | S·拉加里亚 | 西部数据技术公司 |
| 201910841860.0 | 在写入操作之前预偏置旋转扭矩振荡器的数据存储装置 | G·郭 | 西部数据技术公司 |
| 201810223639.4 | 用于双致动器硬盘驱动器的分轴式枢转件 | M.克沙万 | 西部数据技术公司 |
| 201810217473.5 | 基于汉明距离对数字进行二进制编码的方法和装置 | 秦明海 | 西部数据技术公司 |
| 201710839238.7 | 用于读取干扰检测以及处理的方法和装置 | R.D.巴恩特 | 西部数据技术公司 |
| 201810205270.4 | 错误定位多项式解码器及方法 | I.伊拉尼 | 西部数据技术公司 |
| 201980006496.4 | 垂直地平移用于冷存储数据存储装置的加载/卸载坡道机构 | J·加尔巴里诺 | 西部数据技术公司 |
| 201780055834.4 | 使用逆自旋霍尔效应的磁传感器 | P·A·凡德赫顿 | 西部数据技术公司 |
| 201910839608.6 | 具有降低的泄漏率的密封电馈通 | M·那米西撒 | 西部数据技术公司 |
| 201880062943.3 | 研磨工具组合件及其使用方法和研磨工具致动器插入件 | D.T.史密斯 | 西部数据技术公司 |
| 201911225724.5 | 采用标称解耦器和自适应多致动器解耦器的数据存储设备 | J.周 | 西部数据技术公司 |
| 202010146187.1 | 将致动器臂与致动器耦合/解耦的数据存储设备 | D.R.霍尔 | 西部数据技术公司 |
| 201710833388.7 | 非易失性存储器中的处理器 | L.V.卡格尼尼 | 西部数据技术公司 |
| 201911305487.3 | 磁带嵌入式驱动器 | M·小林 | 西部数据技术公司 |
| 201710832459.1 | 用每单元分数比特低延迟读取快闪存储设备的方法和装置 | Z.Z.班迪克 | 西部数据技术公司 |
| 201910535117.2 | 保护HAMR头中的写入极免受腐蚀的方法 | M·玛尼比斯韦 | 西部数据技术公司 |
| 202010227396.9 | 双对称致动器硬盘驱动器 | K.上船 | 西部数据技术公司 |
| 201710827722.8 | 用于闪速存储器器件的连续自适应校准 | D.K.达什 | 西部数据技术公司 |
| 201810149234.0 | 具有编程失败恢复的非易失性存储器 | R.塞加尔 | 西部数据技术公司 |
| 202010968573.9 | 一种节能型用于软件工程的存储设备冷却装置 | 李国庆 | 西藏世通交通勘察设计有限公司 |
| 201810835470.8 | 一种NAND Flash固态存储自适应差错控制方法 | 王祖良 | 西京学院 |
| 201811583638.7 | 一种用于NAND闪存的似然比软值的生成方法和装置 | 马征 | 西南交通大学 |
| 201910122217.2 | 一种用于存储器差错控制的多级译码方法和装置 | 马征 | 西南交通大学 |
| 201910526588.7 | 在对一个或多个特征加热的同时进行研磨的方法及相关的滑块、条形棒和系统 | E·赖达 | 希捷科技有限公司 |
| 201910981980.0 | 确定热辅助磁记录头的激光器的不稳定区 | C·J·雷亚 | 希捷科技有限公司 |
| 202010305755.8 | 驱动器特定读/写参数的访问方案 | R·A·门敦萨 | 希捷科技有限公司 |
| 201610967648.5 | 以电压分布的每一侧上关于分布均值的单独表征进行的自适应读取阈值电压跟踪 | 桑达尔杰·桑卡兰阿拉亚南 | 希捷科技有限公司 |
| 201711261350.3 | 具有吸声挡板的数据存储包壳 | K·帕泰拉 | 希捷科技有限公司 |
| 201380023414.X | 固态硬盘控制器的0-1平衡管理 | 厄尔柯亨 | 希捷科技有限公司 |
| 201710821793.7 | 具有背侧阻抗控制结构的柔性动态回路 | 托德·M·拉默斯 | 希捷科技有限公司 |
| 201680042772.9 | 包括不同材料的销钉和盘的近场换能器(NFT) | M·布拉伯 | 希捷科技有限公司 |
| 201680042781.8 | 包含由不同材料制成的销钉和盘的近场换能器(NFT)的设备 | M·布拉伯 | 希捷科技有限公司 |
| 201910745519.5 | 使用多个卷提供复制的多致动器驱动器 | V·南俊达斯瓦米 | 希捷科技有限公司 |
| 201910176028.3 | 具有附加微致动器对的两级头部悬置组件 | T·廉 | 希捷科技有限公司 |
| 201711097646.6 | 对Z轴非操作冲击的检测 | 刘雄 | 希捷科技有限公司 |
| 201810352833.2 | 用于智能备用电容器管理的方法和装置 | S·纳拉亚南 | 希捷科技有限公司 |
| 201910876642.0 | 具有磁性头-盘接口(HDI)的数据存储盒 | R·A·门敦萨 | 希捷科技有限公司 |
| 201610967649.X | 使用基于经解码数据的误码率的读取阈值电压自适应 | 桑达尔杰·桑卡兰阿拉亚南 | 希捷科技有限公司 |
| 201811457536.0 | 显示装置 | 楠见崇嗣 | 夏普株式会社 |
| 201911016919.9 | 扫描信号线驱动电路、显示装置及扫描信号线的驱动方法 | 田中耕平 | 夏普株式会社 |
| 201910339581.4 | 显示装置 | 堀内智 | 夏普株式会社 |
| 201811344967.6 | 移位寄存器及具备该移位寄存器的显示装置 | 竹內洋平 | 夏普株式会社 |
| 202010556955.0 | 再生装置 | 田岛秀春 | 夏普株式会社 |
| 202010556982.8 | 再生装置 | 田岛秀春 | 夏普株式会社 |
| 201780089808.3 | 记录管理装置及方法、以及计算机可读记录介质 | 铃木弘平 | 先锋数码设计制造有限公司 |
| 201680085875.3 | 碟盘搬运装置及碟盘搬运方法 | 星仲英司 | 先锋数码设计制造有限公司 |
| 201510399221.5 | 生成音乐播放列表的方法和装置 | 郑遇澈 | 现代自动车株式会社 |
| 201680042935.3 | 用于光学反射器和有机存储器的含硼给体-受体化合物 | 任咏华 | 香港大学 |
| 201810806145.9 | 存储设备的驱动方法 | 崔永准 | 香港商艾思科有限公司 |
| 201810317130.6 | 一种以质子为辐射源检测存储器单粒子扰动的测试方法 | 郭红霞 | 湘潭大学 |
| 202010619291.8 | 存储器单粒子效应的动态测试结果的数据处理方法及装置 | 郭红霞 | 湘潭大学 |
| 202011073590.2 | 一种存储器单粒子效应测试系统、方法及装置 | 郭红霞 | 湘潭大学 |
| 201610483478.3 | 内存装置 | 萧志成 | 萧志成 |
| 201710895449.2 | 同步半导体集成电路中的时控式命令时序调整 | M伊顿 | 芯成半导体有限公司 |
| 202010098636.X | 一种基于DDR读数据的分数时钟周期同步系统及方法 | 王亮 | 芯创智（北京）微电子有限公司 |
| 201710805289.8 | 数字数据储存单元及降低待机电流的方法 | 王立中 | 芯立嘉集成电路（杭州）有限公司 |
| 202011619489.2 | 一种并行的f lash寿命测试装置 | 黎永健 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202011554822.6 | 基于真实建模的过擦除验证方法、装置、存储介质和终端 | 张新展 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202011554832.X | 存储器的真实建模注错验证方法、装置、存储介质和终端 | 张新展 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202011535598.6 | 一种小尺寸Latch单元电路及Flash芯片 | 龙冬庆 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 201810639071.4 | 一种译码器控制电路及Nor Flash存储器的版图布局方法 | 李浩 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202010548355.X | 改善多次擦除编程Vt偏移方法、系统、存储介质和终端 | 温靖康 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202011577919.9 | 提升Flash芯片擦除效率的电路和Flash芯片 | 徐明揆 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202011632921.1 | 一种基于FPGA的高精度f lash擦写时间获取装置 | 蒋双泉 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202011614386.7 | 非易失型闪存上电参数检查方法、装置、存储介质和终端 | 张宇 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202011604743.1 | 减小非易失性闪存芯片面积的电路及非易失性闪存芯片 | 龙冬庆 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202010524808.5 | 减少非型闪存编程泵面积的方法、系统、储存介质和终端 | 温靖康 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202011632894.8 | 一种高速读ID和芯片状态的电路和f lash存储器 | 刘佳庆 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202011141943.8 | 记录是否有擦除时掉电的方法、装置、存储介质和终端 | 冯鹏亮 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202011614047.9 | 缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路 | 南锺基 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202011407586.5 | 非易失存储器指令组合验证方法、装置、存储介质和终端 | 朱雨萌 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 202011589823.4 | SD NAND测试方法、装置、存储介质和终端 | 唐维强 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 201810127735.9 | RAM良率补救方法及装置 | 董阳 | 芯颖科技有限公司 |
| 201880074166.4 | 用于D类放大器的负载电流感测系统及方法 | 申旦 | 辛纳普蒂克斯公司 |
| 202010958505.4 | 内容寻址存储器CAM的匹配线检测电路 | 郭建华 | 新华三半导体技术有限公司 |
| 202110650977.8 | 芯片测试方法、装置、控制电路和芯片 | 吴文豪 | 新华三半导体技术有限公司 |
| 201610814757.3 | 磁头滑块的加工测试方法、加工测试监控装置及加工设备 | 李文杰 | 新科实业有限公司 |
| 201710504884.8 | 用于形成热辅助磁头的磁头体的动态性能测试方法及系统 | 高山清市 | 新科实业有限公司 |
| 201510508282.0 | 用于提高专用读写端口SRAM存储器中的低电压写入能力的新型的两阶段写入方案 | 苏尔坦·M·西迪基 | 新思科技有限公司 |
| 201710064030.2 | 非依电性存储器装置及其操作方法 | 王政治 | 新唐科技股份有限公司 |
| 201710367600.5 | 用于改善非挥发性闪存装置的利用率的系统及方法 | 伊兰·马格利特 | 新唐科技股份有限公司 |
| 201811486775.9 | 时序校正系统及其方法 | 周世文 | 新唐科技股份有限公司 |
| 201710176745.7 | 电源电路及其存储器装置 | 王政治 | 新唐科技股份有限公司 |
| 201811172357.2 | 半导体装置及其闪存的存取周期的自动调节方法 | 刘明颖 | 新唐科技股份有限公司 |
| 201610299503.2 | 具有防篡改性的非易失性存储装置以及集成电路卡 | 加藤佳一 | 新唐科技日本株式会社 |
| 201610364708.4 | 半导体装置、半导体装置的读出方法、以及搭载有半导体装置的IC卡 | 东亮太郎 | 新唐科技日本株式会社 |
| 201910432023.2 | 一种多机无线同步分轨录音系统及方法 | 赵易天 | 新中音私人有限公司 |
| 201910605516.1 | 一种GOA驱动电路、阵列基板、和显示装置 | 肖亮 | 信利半导体有限公司 |
| 201910235542.X | 一种数据存储安全转接装置 | 徐文超 | 徐文超 |
| 202010021321.5 | 一种具有散热功能的硬盘固定架 | 周家胜 | 宣城智芬信息技术有限公司 |
| 201811130796.7 | 歌唱音频的编辑辅助方法以及歌唱音频的编辑辅助装置 | 小笠原基 | 雅马哈株式会社 |
| 201910094392.5 | 部分宽度机架安装计算设备 | P·G·罗斯 | 亚马逊科技公司 |
| 201780014445.7 | 服务器系统 | D·L·弗林克 | 亚马逊科技公司 |
| 201680043164.X | 电力熔断器电流感测系统和监测方法 | R·S·道格拉斯 | 伊顿智能动力有限公司 |
| 201810049824.6 | 存储设备以及控制其风扇转速的方法 | 翟海防 | 伊姆西IP控股有限责任公司 |
| 201611194035.9 | 用于存储设施的散热装置和相应的存储设施 | 翟海防 | 伊姆西IP控股有限责任公司 |
| 201711023145.3 | 存储系统 | 翟海防 | 伊姆西IP控股有限责任公司 |
| 201711023166.5 | 用于存储设备的散热的系统和方法 | 翟海防 | 伊姆西IP控股有限责任公司 |
| 201910315955.9 | 写入保护电路 | 高志杰 | 宜鼎国际股份有限公司 |
| 201811037917.3 | 低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法 | 林信章 | 亿而得微电子股份有限公司 |
| 202010019399.3 | 用于读取信息的读取方法 | 高谷佳弘 | 忆术控股股份有限公司 |
| 201710154288.1 | 用于向或从存储器传送数据的方法和装置 | A德鲁埃 | 意法半导体（格勒诺布尔2）公司 |
| 201611201116.7 | 用于长时间常数电路级的读取电路和相应的读取方法 | A·康特 | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 201710150432.4 | 用于管理环形振荡器的操作的方法和系统 | F·拉罗萨 | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 201610105870.4 | 用于管理E EPROM的写入周期的方法 | F巴蒂斯塔 | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 201610605150.4 | 具有偏移补偿的动态感测放大器 | F康特 | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 201710150665.4 | 紧凑型非易失性存储器设备 | J·德拉洛 | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 201610102941.5 | 用于E EPROM类型的存储器器件的故障控制 | F巴蒂斯塔 | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 201610394558.1 | 包括用于程序脉冲的解码器的存储器设备及相关方法 | M·帕索蒂 | 意法半导体股份有限公司 |
| 201710386366.0 | 确定存储器访问时间的系统和方法 | E·卡尔维蒂 | 意法半导体股份有限公司 |
| 201710828775.1 | 管理半导体存储器的方法、相应的接口、存储器和设备 | D·曼加诺 | 意法半导体股份有限公司 |
| 201611081849.1 | 用于存储器设备的感测放大器 | F阿利里 | 意法半导体股份有限公司 |
| 201610363597.5 | 用于非易失性存储器设备的具有偏移补偿的感测放大器电路 | A拉罗萨 | 意法半导体股份有限公司 |
| 201710441604.3 | 用于减少存储器操作时间的方法以及非易失性存储器设备 | F·格兰德 | 意法半导体股份有限公司 |
| 201610862920.3 | 用于读取非易失性存储器器件的存储器单元的电路和方法 | G·卡姆帕尔多 | 意法半导体股份有限公司 |
| 201710297322.0 | 带有余量电流相加的PCM存储器以及相关方法 | E·卡尔维蒂 | 意法半导体股份有限公司 |
| 201710469661.2 | 具有用于高速驱动字线的电路的相变存储器装置 | C·托尔蒂 | 意法半导体股份有限公司 |
| 201610466671.6 | 具有用于存储器的故障监测的电子设备及相关联的方法 | O·兰简 | 意法半导体国际有限公司 |
| 201711136915.5 | 用于基于写入辅助的存储器操作的低电压自定时跟踪电路 | H帕沙克 | 意法半导体国际有限公司 |
| 201711275742.5 | 用于静态随机存取存储器的读取辅助电路 | A·帕沙克 | 意法半导体国际有限公司 |
| 201711288535.3 | 用于与单端口SRAM一起使用的可配置伪双端口架构 | H帕沙克 | 意法半导体国际有限公司 |
| 201610866845.8 | 包括非易失性存储器单元的用于生成电压基准的设备 | M·帕索蒂 | 意法设计与应用股份有限公司 |
| 201780047733.2 | 用于擦除磁带上的数据的磁头、方法和系统 | 罗伊·斯皮勒 | 因苏尔格媒体服务有限公司 |
| 201710652409.5 | 一次性可编程存储器单元和存储器阵列 | K·凯默 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710881242.X | 控制方法、功率开关装置和开关装置 | 亚历山大·迈尔 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201711248677.7 | 存储电路和操作存储电路的方法 | 简·奥特斯泰特 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201710543775.7 | 非易失性存储器测试 | T·巴克施 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201711191698.X | 存储电路及操作存储电路的方法 | 简·奥特斯泰特 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 201680012419.6 | 自存储和自恢复非易失性静态随机存取存储器 | S·汤米施玛 | 英特尔公司 |
| 201680032516.1 | 非易失性随机存取存储器中的复位电流递送 | S.K.古利安尼 | 英特尔公司 |
| 201680027608.0 | 具有回跳预防的磁性存储单元存储器 | C·奥古斯丁 | 英特尔公司 |
| 201710590341.2 | 行锤击刷新命令 | K.拜因斯 | 英特尔公司 |
| 201680012269.9 | 用于在存储器设备内执行数据操作的方法和装置 | S.富岛 | 英特尔公司 |
| 201480081448.9 | 用于在垂直ST TM叠置体中改善稳定性的非晶籽晶层 | M·L·多齐 | 英特尔公司 |
| 201680028656.1 | 在非易失性随机存取存储器中提供保持电流 | D-S·李-加尼翁 | 英特尔公司 |
| 201480081454.4 | 在PST TM MTJ结构中的磁性扩散阻挡层和过滤层 | K·P·奥布赖恩 | 英特尔公司 |
| 201580061633.6 | 数据信号的边沿感知同步的设备、系统和介质 | G.K.陈 | 英特尔公司 |
| 201580065858.9 | 磁存储器写入电路系统 | P·贾殷 | 英特尔公司 |
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| 201810010942.6 | 用于不匹配信号接收器的时序控制 | C莫扎克 | 英特尔公司 |
| 201610912901.7 | 具有直接存取的多级存储器 | B.芬宁 | 英特尔公司 |
| 201710550571.6 | 用于处理从非易失性存储器阵列检索的状态置信度数据的方法和设备 | M.高曼 | 英特尔公司 |
| 201680010964.1 | 存储装置、方法及计算系统 | S·汤米施玛 | 英特尔公司 |
| 201711385604.2 | 三维存储器控制电路 | M.海姆 | 英特尔公司 |
| 201680019125.6 | 用于多级别单元模式非易失性存储器的成本优化单级别单元模式非易失性存储器 | A.S.拉马林加姆 | 英特尔公司 |
| 201480079672.4 | 通过共同优化逻辑核块和存储器冗余来实现面积减小的技术 | S·E·布-加扎利 | 英特尔公司 |
| 201580063627.4 | 自旋转移力矩存储器中的写操作 | H.奈伊米 | 英特尔公司 |
| 201680017001.4 | 具有低功率轨对轨输入共模范围的低功率且高速感测放大器锁存器 | P·V·杜杜鲁瓦 | 英特尔公司 |
| 201580080336.6 | 反熔丝编程电压的受控修改 | X·童 | 英特尔公司 |
| 201580045823.9 | 使用NAND页缓冲器来改善固态驱动器的传递缓冲器利用的方法与系统 | Y.B.瓦克乔尔 | 英特尔公司 |
| 201680019054.X | 基于错误类型的ECC的动态应用 | D.达斯 | 英特尔公司 |
| 201480081490.0 | 制造用于PST TM应用的晶体磁性膜的方法 | K·P·奥布赖恩 | 英特尔公司 |
| 201380081269.0 | 具有双电压非对称存储器单元的芯片及其操作方法和装置 | F·麦钱特 | 英特尔公司 |
| 201680012369.1 | 用于检测和缓解闪速存储器中的位线开路的装置和方法 | R·H·莫特瓦尼 | 英特尔公司 |
| 201580064663.2 | 用于数据安全的事件触发擦除 | H·纳艾米 | 英特尔公司 |
| 201810022790.1 | 使用来自多个存储单元和奇偶校验存储单元的可靠性信息为一个失效存储单元恢复数据 | A.雷 | 英特尔公司 |
| 201680012349.4 | 用于提高对非易失性存储器中的缺陷的抗干扰性的方法和装置 | X·郭 | 英特尔公司 |
| 201680030137.9 | 双存储器平台中的功率管理 | T·当 | 英特尔公司 |
| 201710066008.1 | 用于降低动态功率和峰值电流的SRAM位线和写入辅助装置与方法及双输入电平移位器 | H·T·恩戈 | 英特尔公司 |
| 201580042902.4 | 指定半导体管芯以实现高堆叠能力 | U·西奇利亚尼 | 英特尔公司 |
| 201480083511.2 | 磁电器件和互连件 | D·E·尼科诺夫 | 英特尔公司 |
| 201580044846.8 | 非易失性存储器中的恢复算法 | R.H.莫特瓦尼 | 英特尔公司 |
| 201680068783.4 | 用于图像处理的电子设备、存储设备和方法 | M.皇莆 | 英特尔公司 |
| 201680035935.0 | 采用可编程跟踪斜率的数字相位控制 | 韦方兴 | 英特尔公司 |
| 201680024445.0 | 相变存储器电流 | M·J·陶布 | 英特尔公司 |
| 201580061614.3 | 用于提升源线电压以减少电阻式存储器中的泄漏的设备 | U德雷 | 英特尔公司 |
| 201680024940.1 | 采用错误计数器和内部地址生成的管芯上ECC | J.B.哈尔伯特 | 英特尔公司 |
| 201480080941.9 | 具有用于在其中的磁性层上引发应变的界面的自旋转移矩存储器和自旋逻辑器件 | S·马尼帕特鲁尼 | 英特尔公司 |
| 201911174027.1 | 双列直插式存储器模块的测试方法、系统、介质及装置 | 侯林 | 英业达科技有限公司 |
| 201710428836.5 | 一种基于互联网的录播数据更新方法 | 卢启伟 | 鹰硕(韶关)信息产业集团有限公司 |
| 201780063142.4 | 用于图像或/和图像序列中的前景和背景之间的动态对比度最大化的系统 | R·德拉贡 | 尤尼克费伊德股份公司 |
| 201780063115.7 | 用于生成增强图像的电视转播系统 | R·德拉贡 | 尤尼克费伊德股份公司 |
| 201910699667.8 | 移位寄存器 | 陈柄霖 | 友达光电股份有限公司 |
| 201711119978.X | 移位暂存器及其控制方法 | 林炜力 | 友达光电股份有限公司 |
| 201810758914.2 | 感测电路 | 卢文哲 | 友达光电股份有限公司 |
| 201911411535.7 | 移位寄存器与电子装置 | 简灵樱 | 友达光电股份有限公司 |
| 202010252591.7 | 移位暂存电路 | 黄建中 | 友达光电股份有限公司 |
| 202010063718.0 | 移位寄存器、显示装置及其驱动方法 | 董哲维 | 友达光电股份有限公司 |
| 202010119112.4 | 移位暂存器与相关的显示装置 | 董哲维 | 友达光电股份有限公司 |
| 201810199680.2 | 移位寄存电路 | 洪凯尉 | 友达光电股份有限公司 |
| 201910541932.X | 显示装置 | 张哲嘉 | 友达光电股份有限公司 |
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| 201810354652.3 | 具有嵌入式内存的系统级封装内存模块 | 甘万达 | 钰创科技股份有限公司 |
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| 201910048576.8 | 基于纳米光刻的荧光光盘信息读写方法及装置 | 王中阳 | 中国科学院上海高等研究院 |
| 201811383960.5 | 基于纳米光刻的光盘读写方法及刻写控制信息编解码方法 | 王中阳 | 中国科学院上海高等研究院 |
| 201810735808.2 | 图像式并行读写的光信息数字存储方法 | 魏劲松 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 201910638968.X | 以二次谐波为读写方式的多级相变存储器及其制备方法 | 孟云 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 201810385410.0 | 一种超分辨光盘的径向伺服装置及其伺服控制方法 | 阮昊 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 201811495192.2 | 基于隧穿隔离层的磁性隧穿结器件及其制作方法 | 刘强 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910175850.8 | 一种相变存储器的故障诊断方法 | 解晨晨 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201811301868.X | SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法 | 陈静 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910605311.3 | 相变存储器的多级存储读写方法及系统 | 吕艺 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910208832.5 | 相变存储器的数据读出电路及方法 | 李喜 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201911001686.5 | 低温存储单元及存储器件 | 陈垒 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910561346.1 | 非易失存储器读出电路及读出方法 | 雷宇 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910763063.5 | 多级相变存储器的读出电路及读出方法 | 解晨晨 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910743318.1 | 一种阶梯脉冲确定方法、系统及存储介质 | 陆俊杰 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910806010.7 | 一种突触电路、突触阵列及基于突触电路的数据处理方法 | 吕艺 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910806731.8 | 一种突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法 | 吕艺 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201911032802.X | 一种数据的存储方法和装置 | 叶力 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201811406131.4 | 一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路 | 龚正辉 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910139097.7 | 存储器片内自测试方法、装置和存储器 | 解晨晨 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 201910640534.3 | 一种主动配置的存储器读取装置、存储器及电子设备 | 陈巍巍 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910552901.4 | 基于磁隧道结的存储器及其读写方法、制作方法 | 崔岩 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910155811.1 | 一种数据写入控制电路和控制方法 | 杨诗洋 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910822155.6 | 三维阻变存储器及其读出电路 | 张锋 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201710495884.6 | 一种闪存存储电路的抗总剂量效应加固方法 | 戴茜茜 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810062154.1 | 基于阻变器件交叉阵列结构实现逻辑计算的方法 | 刘琦 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910350185.1 | 一种三维NAND型铁电存储器、制作方法及操作方法 | 李春龙 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910171624.2 | 一种应用于三维存储器的稳压器电路及三维存储器 | 杜含笑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910083228.4 | 神经网络运算系统 | 吕杭炳 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910083189.8 | 融合型存储器的写入、擦除方法 | 吕杭炳 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910349696.1 | 一种三维NAND型铁电存储器、制作方法及操作方法 | 霍宗亮 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201811453525.5 | 一种用于静态随机存储器的写辅助电路以及写辅助方法 | 陈巍巍 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910623077.7 | 三维阻变存储阵列、译码电路以及存储系统 | 张锋 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910263759.1 | 存储器验证电路以及验证方法 | 王林飞 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910940861.0 | 一种NAND Flash存储器读阈值电压修复方法 | 刘琦 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910983809.3 | 一种NAND Flash时序测试方法 | 刘琦 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910601904.2 | MRAM器件及其制造方法及包括MRAM的电子设备 | 朱慧珑 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201911279800.0 | 实现双方向并行数据读取的非挥发存储阵列 | 窦春萌 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201810869979.4 | 一种非易失性存储器的控制系统 | 张黄鹏 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201910351025.9 | 一种工艺浮动容忍的读取时序生成装置 | 陈巍巍 | 中国科学院微电子研究所 |
| 201911139881.4 | 逻辑器件及其逻辑控制方法 | 申见昕 | 中国科学院物理研究所 |
| 201810129656.1 | 一种基于宇航应用的PROM评价方法及系统 | 王亚男 | 中国空间技术研究院 |
| 201910419227.2 | 一种多存储体集成电路自测试的调试诊断方法 | 胡春媚 | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 202011143129.X | 星载导航设备的DSP程序运行方法及其DSP系统 | 周海洋 | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 201910877035.6 | 一种基于HDD硬盘的数据发送接收方法及装置 | 梁用语 | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 202110596690.1 | 一种基于整帧翻转的SRAM型FPGA故障注入加速试验方法 | 孙鹏跃 | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 201910024883.2 | 一种完全非对称的亚阈值单端9管存储单元 | 温亮 | 中国人民武装警察部队海警学院 |
| 201910030247.0 | 采用P-P-N与P-N-N混合结构的10管存储单元 | 温亮 | 中国人民武装警察部队海警学院 |
| 201910333510.3 | 一种隔振硬盘盒 | 陈浩宾 | 中航光电科技股份有限公司 |
| 202010393474.2 | 一种硬盘免螺丝快速组装装置 | 李明刚 | 中科可控信息产业有限公司 |
| 202110821759.6 | 一种基于SRAM的TCAM存储、查找方法及系统 | 尚德龙 | 中科南京智能技术研究院 |
| 202110438264.5 | 一种嵌入式存储芯片打线导致芯片失效的解决方法 | 欧靖 | 中科一芯科技（深圳）有限公司 |
| 201910298680.2 | 针对同一端口的读写控制模块及方法、双端口存储器 | 秋小强 | 中科亿海微电子科技（苏州）有限公司 |
| 202011413526.4 | 高带宽存储器测试系统、测试方法及测试设备 | 鄢贵海 | 中科驭数（北京）科技有限公司 |
| 202110645238.X | 一种基于静态随机存取存储器的存算一体阵列及加速装置 | 乔树山 | 中科院微电子研究所南京智能技术研究院 |
| 202011346678.7 | 一种基于6T单元的存储单元、存储阵列和存内计算装置 | 乔树山 | 中科院微电子研究所南京智能技术研究院 |
| 202011461392.3 | 一种6T SRAM存算装置、存算系统及存算方法 | 乔树山 | 中科院微电子研究所南京智能技术研究院 |
| 202011342249.2 | 一种基于4管存储的存储单元、存储阵列及存内计算装置 | 乔树山 | 中科院微电子研究所南京智能技术研究院 |
| 202110238050.3 | 一种多bit输入与多bit权重乘累加的存内计算单元 | 乔树山 | 中科院微电子研究所南京智能技术研究院 |
| 202110555001.2 | 一种数字存内计算阵列装置 | 乔树山 | 中科院微电子研究所南京智能技术研究院 |
| 202110462886.1 | 一种多位正负单比特存内计算单元、阵列及装置 | 乔树山 | 中科院微电子研究所南京智能技术研究院 |
| 202110688339.5 | 电压裕度增强型电容耦合存算一体单元、子阵列及装置 | 乔树山 | 中科院微电子研究所南京智能技术研究院 |
| 202110548637.4 | 一种存内计算单元、阵列及装置 | 乔树山 | 中科院微电子研究所南京智能技术研究院 |
| 202010103065.4 | 基于ST T-MTJ的存算一体系统、芯片及控制方法 | 金星 | 中山大学 |
| 201910536811.6 | 一种支撑存储内计算的存储系统及计算方法 | 梁诗悦 | 中山大学 |
| 201910071286.5 | 一种基于磁隧道结的多电压控制的非易失性布尔逻辑架构 | 陈建军 | 中山大学 |
| 201811369258.3 | 可编程多功能自旋逻辑加法器/减法器 | 尹宁远 | 中山大学 |
| 202010954474.5 | 快闪存储器的编程方法 | 聂虹 | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 202011131877.6 | 电荷捕获型快闪存储器的编程方法 | 聂虹 | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 202010986623.6 | NOR闪存电路及数据写入方法 | 聂虹 | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 202011269500.7 | B4快闪存储器的编程方法 | 聂虹 | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 202010955900.7 | NAND闪存编程方法 | 聂虹 | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 202110669338.6 | 行译码电路及存储器 | 聂虹 | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 202011050195.2 | 3D NAND闪存编程方法 | 聂虹 | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 201710217707.1 | 字线升压电路和包括字线升压电路的存储器 | 潘劲东 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 201810995951.5 | 一种存取存储器的字线驱动电路和静态随机存取存储器 | 黄珊 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 201710216020.6 | 对EFUSE进行编程的装置及方法 | 张显磊 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 201711061899.8 | 字线译码电路、SRAM以及形成方法 | 方伟 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 201711155060.0 | 位线预置电路、读操作电路、SRAM和方法 | 史增博 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 201610824571.6 | 灵敏放大器电路和存储器 | 柯蕾 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 201610444342.1 | 用于E EPROM的高压斜率反馈控制电路和方法 | 陈永耀 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 201610642238.3 | 一种访问时间测量电路和访问时间测量方法 | 仇超文 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 201810007935.0 | 存储器及其工作方法和形成方法 | 廖淼 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 201610925894.4 | 磁性随机存储器及其制造方法 | 陈卓凡 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 201810027540.7 | SRAM建立保持时间测试电路 | 张静 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 201611130662.6 | 一种位线预充电和放电电路以及存储器 | 权彝振 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
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| 201710602288.3 | 一种负升压电路、半导体器件及电子装置 | 权彝振 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
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| 201611076209.1 | 阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置 | 张翼英 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
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| 201611076206.8 | 阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置 | 陈卓凡 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 201610529788.4 | 一种录音标记与回放的方法和装置 | 王建 | 中兴通讯股份有限公司 |
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| 202110345514.0 | 灵敏放大器及存储器 | 马亮 | 珠海博雅科技有限公司 |
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| 201811566182.3 | 一种上电测试时对Vcc的检测方法及装置 | 马亮 | 珠海博雅科技有限公司 |
| 201910853713.5 | 芯片的测试系统和测试方法 | 安友伟 | 珠海博雅科技有限公司 |
| 201910171625.7 | 多阈值OTP存储器单元以及控制方法 | 李弦 | 珠海创飞芯科技有限公司 |
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| 201910590912.1 | NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器 | 冯一飞 | 珠海创飞芯科技有限公司 |
| 201910766437.9 | OTP嵌入式存储器及其编程方法、读取方法 | 李弦 | 珠海创飞芯科技有限公司 |
| 201910876123.4 | 一种阈值电压调节方法 | 李弦 | 珠海创飞芯科技有限公司 |
| 202010745516.4 | 一种视频监控存储设备 | 邓练兵 | 珠海大横琴科技发展有限公司 |
| 201811173366.3 | 一种f lash译码电路和f lash译码方法 | 聂玉庆 | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 201911285095.5 | 菜谱播报方法、系统、存储介质以及电子设备 | 宋德超 | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 201811307935.9 | 一种存储器内建自测试方法、电路及计算机存储介质 | 温浪明 | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 201710189447.1 | FLASH存储器及存储文件管理方法 | 楼鹏 | 珠海极海半导体有限公司 |
| 201811555726.6 | 兼容eMMC协议和SD协议的存储器测试装置及方法 | 温佳强 | 珠海妙存科技有限公司 |
| 201910340619.X | 存储运算电路模块及处理器 | 胡颖哲 | 珠海普林芯驰科技有限公司 |
| 201910289428.5 | EMMC芯片测试系统 | 李想 | 珠海全志科技股份有限公司 |
| 201910366150.7 | 存储器测试方法、装置、计算机设备以及存储介质 | 魏园洲 | 珠海市杰理科技股份有限公司 |
| 201910686409.6 | 一种用于读写DDR内存的延时参数优化方法和系统 | 林立 | 珠海市一微半导体有限公司 |
| 201810035565.1 | 电阻性内存单元的准定压降自我中止写入方法及其电路 | 黄志仁 | 珠海兴芯存储科技有限公司 |
| 201810613910.5 | 存储器的修复方法 | 黄志仁 | 珠海兴芯存储科技有限公司 |
| 202010858038.8 | 磁盘装置 | 须藤大辅 | 株式会社 东芝 |
| 202010106259.X | 硬盘驱动器 | 宫本滉一朗 | 株式会社 东芝 |
| 202010024533.9 | 磁盘装置以及写数据的调整方法 | 前东信宏 | 株式会社 东芝 |
| 202010051886.8 | 盘装置 | 朝仓诚 | 株式会社 东芝 |
| 201811470060.4 | 磁盘装置及读/写处理方法 | 河边享之 | 株式会社 东芝 |
| 201810938101.1 | 电子设备 | 久国阳介 | 株式会社 东芝 |
| 201810573665.X | 磁盘装置 | 吉川纪夫 | 株式会社 东芝 |
| 201810844848.0 | 盘装置 | 赤冢直人 | 株式会社 东芝 |
| 201810620476.3 | 磁盘装置以及头位置的校正方法 | 田上尚基 | 株式会社 东芝 |
| 201810613985.3 | 头万向架组件以及具备其的磁盘装置 | 古谷和浩 | 株式会社 东芝 |
| 201810824532.5 | 缺陷登记方法 | 柏木一仁 | 株式会社 东芝 |
| 201810034634.7 | 硬盘装置及其控制方法 | 柏木一仁 | 株式会社 东芝 |
| 201810006824.8 | 盘装置 | 铃木保夫 | 株式会社 东芝 |
| 201810831962.X | 磁盘装置 | 须藤大辅 | 株式会社 东芝 |
| 201810831046.6 | 磁盘装置及其记录方法 | 新堀崇裕 | 株式会社 东芝 |
| 201810749202.4 | 盘装置以及数据管理方法 | 东海林谦克 | 株式会社 东芝 |
| 201811442608.4 | 磁记录头及具备该磁记录头的磁记录再现装置 | 友田悠介 | 株式会社 东芝 |
| 201811598430.2 | 磁记录头和具有该磁记录头的盘装置 | 松本拓也 | 株式会社 东芝 |
| 201810610949.1 | 磁盘装置 | 吉川纪夫 | 株式会社 东芝 |
| 201811449589.8 | 磁盘装置和写入处理方法 | 前东信宏 | 株式会社 东芝 |
| 201910175781.0 | 磁头及磁记录再现装置 | 首藤浩文 | 株式会社 东芝 |
| 201810833966.1 | 盘装置、前置放大器和盘装置的控制方法 | 大久保智和 | 株式会社 东芝 |
| 201910187027.9 | 磁记录装置 | 高岸雅幸 | 株式会社 东芝 |
| 201910184610.4 | 磁头及磁记录再现装置 | 成田直幸 | 株式会社 东芝 |
| 201910789284.X | 磁头及磁记录再现装置 | 首藤浩文 | 株式会社 东芝 |
| 201810546984.1 | 盘装置 | 长谷川久 | 株式会社 东芝 |
| 201810817113.9 | 盘装置及介质扫描方法 | 濑川诚 | 株式会社 东芝 |
| 201910584438.1 | 盘装置 | 中村吉彦 | 株式会社 东芝 |
| 201910608847.0 | 磁盘装置以及磁盘装置的记录方法 | 友田悠介 | 株式会社 东芝 |
| 201910806174.X | 磁盘驱动器及用于磁盘驱动器的记录方法 | 矶川博 | 株式会社 东芝 |
| 201910548013.5 | 磁盘装置以及伺服解调位置的解调方法 | 小川卓也 | 株式会社 东芝 |
| 201910617857.0 | 磁盘装置以及记录头控制方法 | 小泉岳 | 株式会社 东芝 |
| 201910608555.7 | 磁盘装置以及读处理方法 | 前东信宏 | 株式会社 东芝 |
| 201910634449.6 | 磁盘装置以及读处理方法 | 前东信宏 | 株式会社 东芝 |
| 201811516009.2 | 磁盘装置、控制装置以及调节装置 | 川满悠生 | 株式会社 东芝 |
| 201811530113.7 | 磁盘装置以及具有高次谐波的干扰成分的抑制方法 | 松泽卓治 | 株式会社 东芝 |
| 201811571004.X | 磁盘装置及写入处理方法 | 河边享之 | 株式会社 东芝 |
| 201811597723.9 | 磁盘装置以及头位置的修正方法 | 田上尚基 | 株式会社 东芝 |
| 201811619383.5 | 致动器组件及具备其的盘装置 | 久国阳介 | 株式会社 东芝 |
| 201810536240.1 | 磁盘装置及磁盘装置的控制方法 | 大薮弘志 | 株式会社 东芝 |
| 201910025270.0 | 写入次数上限值的设定方法和磁盘装置 | 市原一人 | 株式会社 东芝 |
| 201910025406.8 | 磁盘装置及磁盘装置的数据读取方法 | 近藤阳介 | 株式会社 东芝 |
| 201811553945.0 | 磁记录再现装置 | 友田悠介 | 株式会社 东芝 |
| 201811558838.7 | 磁头及具备其的盘装置 | 前东信宏 | 株式会社 东芝 |
| 201811558616.5 | 磁头以及具备该磁头的磁盘装置 | 山根正巳 | 株式会社 东芝 |
| 201910015067.5 | 磁盘装置及其数据处理方法 | 北村重人 | 株式会社 东芝 |
| 201911405014.0 | 盘装置 | 上原学 | 株式会社 东芝 |
| 201911364033.3 | 盘装置 | 早坂健儿 | 株式会社 东芝 |
| 201910830247.9 | 磁盘装置 | 古桥贵夫 | 株式会社 东芝 |
| 201910025320.5 | 磁盘装置 | 下川英夫 | 株式会社 东芝 |
| 201910728568.8 | 磁盘装置 | 内田贵斗 | 株式会社 东芝 |
| 201910011874.X | 盘装置 | 加藤泰彦 | 株式会社 东芝 |
| 201910716341.1 | 磁盘装置 | 高田和弥 | 株式会社 东芝 |
| 201810840142.7 | 盘装置 | 会田公康 | 株式会社 东芝 |
| 201811424270.X | 磁头以及盘装置 | 小泉岳 | 株式会社 东芝 |
| 201910851771.4 | 磁头以及磁记录装置 | 永泽鹤美 | 株式会社 东芝 |
| 201910633926.7 | 磁盘装置、伺服扇区的写方法及伺服解调位置的修正方法 | 田上尚基 | 株式会社 东芝 |
| 201810839135.5 | 磁盘装置及重复偏出修正数据的写入方法 | 工藤文也 | 株式会社 东芝 |
| 201910547244.4 | 磁盘装置 | 铃木仁文 | 株式会社 东芝 |
| 201811432705.5 | 磁盘装置 | 坂本宣幸 | 株式会社 东芝 |
| 201911412992.8 | 磁盘装置以及写处理方法 | 友田悠介 | 株式会社 东芝 |
| 201910588611.5 | 磁盘装置以及写处理方法 | 山本优 | 株式会社 东芝 |
| 201910597735.X | 头悬架组件及盘装置 | 铃木保夫 | 株式会社 东芝 |
| 202010008783.3 | 磁盘装置以及伺服写入的控制方法 | 须藤大辅 | 株式会社 东芝 |
| 202010000205.5 | 磁盘装置 | 松泽卓治 | 株式会社 东芝 |
| 201811561468.2 | 盘装置 | 佐藤佑树 | 株式会社 东芝 |
| 201910014781.2 | 磁盘装置及磁盘装置的控制方法 | 柏木一仁 | 株式会社 东芝 |
| 201811422101.2 | 磁盘装置 | 小泉岳 | 株式会社 东芝 |
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