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一、概述
vasp用“slab” 模型来模拟表面体系结构。
vasp计算表面的大概步骤是：
材料体性质的计算；表面模型的构造；表面结构的优化；表面性质的计算。
二、分步介绍
1、材料体性质计算：
本步是为了确定表面计算时所需的一些重要参数：ENCUT、SIGMA、晶格参数。
在计算前，要明确：何种PP；ENCUT；KPOINTS ;SIGMA;PREC;EX-CO，这其实是准备proper input files。
a. 何种PP
选择的PP能使计算得到的单个原子能量值在1meV~10meV之间。
所求得的单原子能量（对称性破缺时）可用来提高结合能的精度。
b. ENCUT
选择的ENCUT应使得总能变化在0.001eV左右为宜。
注意：试探值最小为POTCAR中的ENMAX（多个时，取最大的），递增间隔50；
另外，在进行变体积的结构优化时，最好保证ENCUT＝1.3ENMAX，以得到合理精度。
c. PREC
控制计算精度的最重要参数，决定了（未指定时）ENCUT、FFT网格、ROPT取值。
一般计算取NORMAL；当要提高Stress tensor计算精度时，HIGH 或ACCURATE，并手动设置ENCUT。
d. EDIFF ＆ EDIFFG
EDIFF 判断电子结构部分自恰迭代时自恰与否，一般取默认值＝1E－4；
EDIFFG 控制离子部分驰豫
e. ISTART ＆ ICHARGE
ISTART = 1, ICHARG = 11：能带结构、电子态密度计算时；
ISTART =0, ICHARG = 2：其余计算
ISTART = 1，ICHARG = 1（其他所有不改变）：断点后续算设置
f. GGA & VOSKOWN
GGA＝91： Perdew -Wang 91；
GGA＝PE： Perdew-Burke-Ernzerhof
VOSKOWN＝1（ GGA＝91时）；VOSKOWN＝默认（其余情况）
g. ISIF
控制结构参数之优化。在对原胞进行变形状或者体积的优化时，ENCUT要取大（比如1.3ENMAX或PREC＝HIGH）,以消除Pulay Stress导致的误差。
h. ISMEAR & SIGMA
进行任何静态计算时，且K点数目大于4，ISMEAR＝－5；
当原胞太大，导致K点数目小于4时，ISMEAR = 0，并且要设置一个SIGMA；
对绝缘体和半导体，不论是静态计算还是结构优化，ISMEAR = -5；
对金属体系，SMEAR=1和 2，并且设置一个SIGMA；
能带结构计算，用默认值：ISMEAR＝1，SIGMA＝0.2；
一般来说，对于任何体系，任何计算，采用ISMEAR＝0，并选择合适的SIGMA都会得到合理结果。
选择的SIGMA应使得entropy T*S EENTRO 绝对值最小。K 点数目变化后，SIGMA需再优化。
i. RWIGS
一般取POTCAR中以A为单问的RWIGS值。
j. K points
选择的K点应使得总能变化在0.001eV左右即可。
k. 一些重要的参数在默认下的值NSW =0，IBRION＝－1，ISIF＝2：静态计算。
<二>
a. 体材料结合能修正。
在OUTCAR中energy without entropy之后的那个能量值，就是修正值
b. 结构参数优化。 简单情况（没有内部自由度如晶胞形状、原子位置）：静态计算，得出E～V关系，然后用Birch-Murnaghan状态方程拟合。
复杂情况：
总思路是先“建立好房子”，再“放好桌子”。
先算一步结构优化（取ISIF＝5，只改变“房子”形貌，房间大小不变，家具不予考虑），接着算一步静态自恰计算，从而得到某结构参数下的能量，如此循环得到E～V关系。用状态方程拟合得到平衡体积。
在该体积下，重复1（取ISIF＝2,房子造好后，考虑的是如何放家具。此处一般是使得每个家具受力达到某中小即可认为达到稳定结构）、2两步，便得到了所有的晶格参数值，如离子坐标。
c. VASP得到的总能即是结合能，不过还要减去前面得到的修正值。
d. 自恰的电荷密度
优化得到晶格参数后，再进行静态的自恰计算，就得到了自恰的电荷密度。
此时的POSCAR为从优化晶格参数时可CONTCAR得到。
KPOINTS 不变
典型的INCAR设置是：
ENCUT = 250
ISTART = 0; ICHARG = 2
ISMEAR = -5
PREC = Accurate
计算完后，注意保存相关结果。
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