相较于传统的LCD和OLED而言，基于Micro-LEDs的显示技术有着诸多优势，这也使得其有望成为下一代显示技术的主流。当前基于Micro-LED的显示技术仍然需要克服很多瓶颈，除了工艺制造中全彩显示和巨量转移两个难题以外，基于GaN基的Micro-LED器件的低EQE也是亟待解决的关键问题之一。造成GaN基的Micro-LED器件低EQE的主要原因在于小尺寸器件下，侧壁缺陷造成的非辐射复合对器件性能的影响。针对这一问题，主要有以下几个方法去解决：从工艺制备角度来说，可以通过对侧壁进行热退火、对侧壁进行化学处理及钝化等；从器件物理角度来说，可以通过调整器件内部横向电流扩展来实现横向载流子限制，从而进一步抑制缺陷引起的非辐射复合对器件性能的影响。

图 衬底不同厚度的器件在不同方向上的出光分布

基于Crosslight公司先进的半导体器件仿真设计平台，我司技术团队成功开发出适用于光电器件的基于电光耦合的光线追踪模型，可视化地呈现了光强的空间分布。基于此模型，研究人员可以更高效地优化器件的光学参数，调控光子行为输运，进一步研究器件之间的光学串扰问题。此外，该模型的成功开发对开展Micro-LED全彩显示的研究也具有重要意义，为全彩显示技术长足发展提供一定的理论指导。（当前文章已发表在Journal of Physics D Applied Physics，文章链接：https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/abd9a3）

转载本文请联系原作者获取授权，同时请注明本文来自寇建权科学网博客。

链接地址：https://wap.sciencenet.cn/blog-3425371-1268890.html?mobile=1

收藏

分享