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双光束超分辨光刻技术的发展和未来
谢大乐1,2,艾星星3,甘棕松1,2*
1. 华中科技大学武汉光电国家研究中心,武汉430074
2. 华中科技大学信息存储系统教育部重点实验室,武汉430074
3. 黄冈师范学院化学化工学院,黄冈438000
摘要 近年来,随着芯片制造工艺的不断提高,光刻技术发展面临着一些难题,这些难题也影响着芯片行业发展及摩尔定律的持续性。然而,当前主流的极紫外光刻技术已经接近制造极限,需要更先进的技术来突破技术瓶颈。综述了基于双光束超分辨技术的光刻技术概念,并分析了其优势和潜力,同时提出了该技术面临的挑战和可能的解决方案,指出这种新型光刻技术有望在微纳制造领域扮演重要的角色。
关键词 芯片制造;光刻技术;双光束;超分辨
(责任编辑 王微)
http://www.kjdb.org/CN/10.3981/j.issn.1000-7857.2023.06.00884
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