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4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展

已有 124 次阅读 2021-9-18 15:54 |系统分类:论文交流

4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展

张玉明,袁昊,汤晓燕,宋庆文,何艳静,李东洵,白志强

摘要 4H-SiC功率器件作为一种宽禁带半导体器件,凭借突出的材料优势具有耐压高、导通电阻低、散热好等优势。近年来随着器件的逐步商用,器件的可靠性问题成为新的研究热点。综述了本课题组近期在4H-SiC功率二极管可靠性方面的研究进展,通过高温存储和高压反偏可靠性问题的研究,分析了器件性能退化机制。通过重复雪崩可靠性问题的研究,提出了一种可有效提升器件抗重复雪崩能力的终端方案。

关键词 4H-SiC;二极管;MOSFET

(责任编辑  王志敏)

http://www.kjdb.org/CN/Y2021/V39/I14/63



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