激光与光电子学进展:基于多项目晶圆流片的规模化光子集成技术
已有 2733 次阅读
2017-3-3 14:59
|系统分类:论文交流|
综述, 刘永, 光子集成技术, 多项目晶圆流片
郑秀 刘永
电子薄膜与集成器件国家重点实验室,核心电子材料与器件协同创新中心,电子科技大学光电信息学院
摘要 近几十年来,随着光网络通信容量的高速增长,通过将分立光器件集成化以减小器件尺寸、降低成本已然成为光电子器件发展的必然趋势。光子集成回路具有尺寸小、功耗低、重量轻等优点,是解决未来宽带光网络能耗、体积、容量等问题的关键技术。本文综述了基于多项目晶圆(Multi-Project Wafer)流片的规模化光子集成技术,主要包括硅基光子集成技术、III-V族磷化铟集成技术、以及以氮化硅和二氧化硅多层波导结构为基础的TriPleX集成技术,介绍了目前可以提供这三种多项目晶圆流片技术的代工平台,以及利用这些代工平台实现的一些光子集成芯片,并对这些平台的工艺参数进行了比较。点击此处阅读全文引用该论文郑秀,刘永. 基于多项目晶圆流片的规模化光子集成技术[J].激光与光电子学进展,2017,54(5):050001.
https://wap.sciencenet.cn/blog-3233766-1037291.html
上一篇:
“超快激光加工与微纳制造”专题—《中国激光》2017年第1期下一篇:
《光学学报》Highlight—— 基于电磁感应透明的光学信息处理技术