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湖南大学展示纳米尺寸垂直晶体管原型器件
202105/0809:39:44来源:新华网
湖南大学刘渊教授(右二)同团队成员一起工作(5月6日摄)。
记者5月7日从湖南大学获悉,刘渊教授团队使用范德华金属集成法,成功展示了超短沟道垂直场效应晶体管,其有效沟道长度最短可小于1纳米。这项“微观世界”的创新,为“后摩尔时代”半导体器件性能提升增添了希望。日前,这一研究成果已发表在《自然·电子学》上。
新华社记者 苏晓洲 摄
刘渊教授在电脑屏幕上展示超短沟道垂直场效应晶体管照片,其有效沟道长度最短可小于1纳米(5月6日摄)。
记者5月7日从湖南大学获悉,刘渊教授团队使用范德华金属集成法,成功展示了超短沟道垂直场效应晶体管,其有效沟道长度最短可小于1纳米。这项“微观世界”的创新,为“后摩尔时代”半导体器件性能提升增添了希望。日前,这一研究成果已发表在《自然·电子学》上。
新华社记者 苏晓洲 摄
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