壮志未酬身将死?长使咱家泪满澿。
[小资料] 分裂栅极器件(split gate, split-gate)
集成电路: integrated circuit
分裂栅极: split gate, split-gate
场效应晶体管: field effect transistor; FET
头晕晕的。没有精力进一步搜索,只浏览了 3 篇相关论文。
将栅极拆成 2个,是 2009年 Seyed Ebrahim Hosseini 的世界范围首创吗?
将沟道做成多个,好像文献不少。
一、分裂栅极器件(split gate, split-gate)
图1 Dual gate SOI structure. 双栅极 SOI 结构。 2009
https://ieeexplore.ieee.org/document/5166913
图2 Typical-size VDMOSFET structure diagram: (a) PG-VDMOSFET; (b) SGE-VDMOSFET. 典型尺寸 VDMOSFET 结构图:(a)PG-VDMOSFET;(b) SGE-VDMOSFET。 2023
https://www.mdpi.com/2079-9292/12/11/2398
图3 A 40 nm split-gate NOR flash cell structure and design parameters. 一种40nm分裂栅极NOR闪存单元的结构和设计参数。 2023
https://www.mdpi.com/2072-666X/14/9/1753
二、真创新,真难!
参考资料:
[1] 2023-08-30,绝缘体上硅/silicon on insulator; SOI/狄增峰,中国大百科全书,第三版网络版[DB/OL]
https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=63619&Type=bkzyb&SubID=80604
[2] 2022-12-23,绝缘层上锗/germanium on insulator/狄增峰,中国大百科全书,第三版网络版[DB/OL]
https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=63625&Type=bkzyb
[3] 2023-08-01,绝缘体上硅鳍式场效应晶体管/silicon on insulator fin field effect transistor; SOI-FinFET/殷华湘,中国大百科全书,第三版网络版[DB/OL]
https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=63616&Type=bkzyb&SubID=80601
[4] 2023-06-06,绝缘体上硅薄膜/silicon on insulator; SOI/成步文
https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=130701&Type=bkzyb&SubID=105140
[5] Seyed Ebrahim Hosseini. Split Gate SOI MOSFET with Drain Dependent Bias for Short Channel Effects Reduction [C]. 2009 International Conference on Signal Processing Systems, 863-865.
doi: 10.1109/ICSPS.2009.134
https://ieeexplore.ieee.org/document/5166913
[6] Haonan Feng, Xiaowen Liang, Xiaojuan Pu, Yutang Xiang, Teng Zhang, Ying Wei, Jie Feng, Jing Sun, Dan Zhang, Yudong Li, Xuefeng Yu, Qi Guo. Total Ionizing Dose Effects of 60Co γ-Ray Radiation on Split-Gate SiC MOSFETs [J]. Electronics, 2023, 12(11): 2398.
doi: 10.3390/electronics12112398
https://www.mdpi.com/2079-9292/12/11/2398
[7] Chan-Gi Yook, Jung Nam Kim, Yoon Kim, Wonbo Shim. Design Strategies of 40 nm Split-Gate NOR Flash Memory Device for Low-Power Compute-in-Memory Applications [J]. Micromachines, 2023, 14(9): 1753.
doi: 10.3390/mi14091753
https://www.mdpi.com/2072-666X/14/9/1753
相关链接:
[1] 2023-11-19,[讨论,预测,创新] 集成电路下一个重要原创:平面化
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1410270.html
[2] 2023-11-18,[小资料] 场效应晶体管 FET:短沟道效应
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1410158.html
[3] 2023-11-17,[小资料] 场效应晶体管 FET:多材料栅极
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1410052.html
[4] 2023-11-13,[打听] 继晶体管、集成电路之后,电路重大突破会出现在哪里?
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1409521.html
[5] 2023-11-14,[打听] 哪些新型半导体器件是未来的主流?
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1409653.html
[6] 2023-11-15,[悲恸,绝望,崩溃] 创新,有时会气死人吗?(霍尔尼 Hoerni 的平面工艺 planar)
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1409771.html
[7] 2023-09-09,[小资料] FinFET(鳍式场效应晶体管 fin field effect transistor)
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1402038.html
[8] 2023-09-07,[小资料] 1966年鲍尔(Robert W. Bower)申请的 MOSFET 自对准栅极工艺专利(图片)
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401852.html
[9] 2023-09-06,[小资料] 1963年万拉斯(Frank Marion Wanlass)、萨支唐(Chih-Tang Sah)申请的CMOS专利和论文(图片)
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401741.html
[10] 2023-09-05,[小资料] 1963年霍夫施泰因(Steven R. Hofstein)、海曼(Frederic Paul Heiman)的MOS场效应管论文(部分图片)
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401577.html
[11] 2023-09-04,[小资料] 1960年阿塔拉(Martin (John) M. Atalla)、江大原(Dawon Kahng)申请的MOS场效应管专利(图片)
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401453.html
[12] 2023-09-02,[小资料] 1935年海尔(Oskar Heil)的场效应管专利(图片)
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401242.html
[13] 2023-09-01,[小资料] 1926年利林费尔德(Julius Edgar Lilienfeld)的场效应半导体专利(图片)
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401136.html
[14] 2023-08-11,[怀旧,回顾,展望] 二极管与非门,场效应晶体管
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1398708.html
[15] 2022-09-19,[???] 热血沸腾之后,更是“耗尽/耗干”后的无奈(关联资料“集成电路”,诺伊斯 Robert Norton Noyce)
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1356020.html
[16] 2022-07-26,[汇报] 近十多年的时间、精力状态(欠佳)
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1348843.html
[17] 2022-09-24,《信息革命的技术源流》第三轮阅读:创新真难!
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1356669.html
[18] 2023-09-17,Zenas 公理:2023年汪波老师的《为什么芯片相关的发明最初总不受待见?》
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1402929.html
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