1   通过钛箔的阳极氧化和高温焙烧过程制备了g-C₃N₄修饰的有序TiO₂纳米管阵列（TINTA）。

2    g-C₃N₄/ TNTA异质结有效提高了太阳光驱动水裂解的光电化学活性。其光电流密度和偏差光电转化效率分别为~0.86mA/cm²和~0.25％，比原始TiO₂纳米管阵列高约2倍。

3    异质结扩大了TNTAs的光学吸收范围，加速了载流子迁移，并且通过TiO₂和g-C₃N₄之间的有效能带排列抑制了光生电子-空穴对的复合。

1  TNTA和g-C₃N₄/ TNTA光电极的制备过程

在典型的合成工艺中，分别用Ti箔（99.9％）和1×1 cm²的铂片作为工作电极和反电极。将0.5 wt％的NH₄F溶解在20 mL水和80 mL甘油中来制备电解质溶液。依次用丙酮、乙醇和去离子水对Ti箔进行超声清洗（1×4 cm²，厚度0.3 mm）。

通过改进的一步阳极氧化法，在室温和30 V条件下下经过2 h在Ti箔上合成有序排列的TNTA。随后，用去离子水充分冲洗合成的TNTA前驱体，在空气中和550℃条件下以3℃/min的加热速率焙烧2小时，然后自然冷却至室温。

2  纳米管阵列的表面形貌

用原子力显微镜（AFM）进一步研究了纳米管阵列的表面形貌。TNTAs和g-C₃N₄ / TNTA的特征二维图像显示，制备的TNTAs轮廓清晰，并且用g-C₃N₄涂覆的纳米管内径显著降低。2D AFM图像显示TNTA和g-C₃N₄/TNTA的管壁厚度分别为~59和91 nm。

通过研究推测可能的机理为：g-C₃N₄与TNTAs结合形成匹配良好的异质结，因为g-C₃N₄的价带和导带都高于TiO₂。在光照下，电子由g-C₃N₄的价带激发至导带，然后转移到TiO₂纳米管的导带并在g-C₃N₄的价带中留下空穴。最后，电子通过外部电路转移到对电极，消耗H⁺产生H₂。

2000年获日本山口大学博士学位，曾就职于日本大阪表面处理研究所从事应用电化学的研究，2002年归国后主要从事应用电化学的教学和研究工作。

主要研究方向：

化学修饰电极、电池的电极材料、印制线路板表面处理、电容器。

主页链接：

http://clxy.cczu.edu.cn/2014/0516/c2523a34092/page.htm

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Nano-Micro Letters 是上海交通大学主办的英文学术期刊，主要报道纳米/微米尺度相关的最新高水平科研成果与评论文章及快讯，在 Springer 开放获取（open-access）出版。可免费获取全文，目前免收版面费。