1   用深反应离子刻蚀方法成功制备了三种类型的黑硅（bSi）表面，表面的柱状尺寸范围为高：652.7–1063.2 nm；密度：8–11 tips /μm²。

2   当表面微柱阵列高度较高（>1000 nm）、密度较低（<8 tips per/&micro;m²）且分散不佳时，黑硅表面抗菌性能明显下降。

1  黑硅表面纳米柱的识别和检测

一个典型的三层反向传播神经元网络包括输入层、隐藏层和输出层三部分。

隐藏层中共有24个神经元被利用。输出层由两类神经元组成：E（柱间的空区域）和P（柱尖），其中对每个像素及其邻域进行了分类。根据样本bSi-1创建了14幅图像，分别关注七个P区域和七个E区域。

2  黑硅表面纳米结构的比较分析

对黑硅表面纳米结构进行光学，AFM和SEM表征。结果显示纳米柱在所有bSi表面上的呈随机分布。

对黑硅表面的俯视SEM图像的FFT分析证实了纳米柱的各向同性，表明柱之间平均距离的变化导致了FFT图像中的较宽的环晕现象。

主要研究领域：

平面微器件的设计、制造和操作；微/纳米/环境中生物分子和微生物的固定；宏观/微米/纳米结构表面的细菌相互作用。

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Nano-Micro Letters 是上海交通大学主办的英文学术期刊，主要报道纳米/微米尺度相关的最新高水平科研成果与评论文章及快讯，在 Springer 开放获取（open-access）出版。可免费获取全文，目前免收版面费。