在上图中，都是在同一个区域测试的。（左）边的图像，就是我们一般常见的二次电子(SE)像，是看表面形貌的。对于这个样品，由于表面非常平坦，基本上看不出有用的价值信息。然而当我们把扫描电镜打到EBIC模式（中间的图片），我们就看到了非常漂亮的点状的和线条状的信息。然后当我们再转到CL模式 （右图），又发现了其他的信息，其中有些信息是和EBIC得到的信息是相对应的。

    有了上面的感性认识，那么再回到EBIC和CL是用什么来成像的，我们能从这两种模式中得到什么有用的信息。首先对EBIC来说，当用扫描电镜中的电子束轰击样品时，会在样品中产生载流子。我们一般常见的样品都不是完美的，都是有各种各样的缺陷的。在有缺陷的地方，载流子被复合的多，因而就会产生不同于其他没有缺陷地方的衬度，最后在图片中就会显示点状或线状的信息（如中图）。说得再通俗点，现在全世界都在大力开发太阳能电池。对于影响太阳能电池效率的各种缺陷，EBIC的技术表征提供了很多信息。

    CL的原理有点类似，也是利用载流子的复合。只不过EBIC提供的是样品的电学方面的信息，而CL是通过探测载流子复合时发出的光谱来表征样品的光学性能。现在用来做发光二极管LED的许多材料，在研究和比较它们的发光行为时，CL技术可以提供许多有用的信息。

    这里只举了一个简单的例子，和大家分享一下其实再常见不过的扫描电镜，如果挖深，也能得到许多神奇的妙用，我们做科研更是如此。有兴趣的朋友，可以参考下面的review文献继续深入了解。

    Assessment of semiconductors by scanning electron microscopy techniques，Comprehensive Semiconductor Science and Technology, 308-356 (2011) (Elsevier).

附文章下载：