最近网上盲审和看了很多研究生论文，包括很多经典书籍以及很多nature和science、AM等级别刊物上，提及了极化子概念，还有人作计算讨论，极化子是极性晶体和离子晶体中导带的电子和与其结伴而行的晶格畸变的复合体。但是很多人不知道的是，我们对于过渡金属氧化物半导体材料制备实验一些结果证明，已经否定了极化子概念。
这个问题可以从我们十几年前，一开始研究半导体纳米粉体开始就涉及的，极化子概念当时我也是认同的，还试图根据这一点进行分析，但是却与我们实验的过程种分析结果相违背。这就让我对于这一概念进一步学习分析了一下。这一概念提出者是基于假设和想象的，本身就是没有多少根据的推测成份，但是似乎解释了一部分实验现象，这造成了假象，国内外很多人误以为这一理论是有实验根据的一样。实际为何造成似乎能解释一部分试验现象呢！并不是这个概念和理论是正确的，而是前期很多这类材料制备实验水平很低，材料本身均匀性很差，所以宏观测试导电特性往往是宏观平均化的表象，这就给这种似是而非的理论提供了市场空间，在一个误差很大的非均匀材料特性讨论时，平均化处理和讨论总能跟实验数据沾上点边。国内引进这一教材和文献时，也进行了不加独立思考分析的照搬，把这一未经试验严格论证证明的不靠谱的理论变成了定论一样，导致很多研究生把这些写进了毕业论文，很多研究人员据此发表论文还做计算分析。
我们对于过渡金属氧化物半导体制备技术的研究深入，可以提供直接证据，证明了极化子理论是荒谬的，实际当我们对于材料围观组成合结构实现均匀化制备后，所谓的极化子是不存在的。此时如果存在极化子，意味着材料整体宏观特性和微观特性完全一致，实验证明这是荒谬的，已经完全超出极化子概念的nm级大小，此时晶界的作用就可以简单解释。所以极化子概念示材料制备技术低下的不完备理论解释。
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