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不同装片工艺对硅片翘曲的影响

已有 1432 次阅读 2020-9-23 10:23 |系统分类:论文交流| 硅片, 热应力, 翘曲, 温度均匀性

任凯;肖健,袁夫通,何晶    

南京国盛电子有限公司,南京 211111

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收稿日期:2020-04-08 出版日期:2020-09-18 发布日期:2020-04-27

作者简介:任凯(1986—),男,江苏扬州人,硕士,工程师,主要从事硅外延设备管理及技术开发工作。

摘要: 分析了热应力是导致硅片翘曲变形的直接原因,提出了改善装片过程硅片温度均匀性的方法来减小硅片翘曲变形。对影响硅片翘曲的装片工艺参数进行了研究,实验结果表明,优化offset参数和调整上加热灯管的输出功率可以改善硅片温度均匀性,当offset参数选用10/6/-3,上加热灯管输出功率百分比为90%时,硅片不发生翘曲变形。

引用本文

任凯, 肖健, 袁夫通, 何晶. 不同装片工艺对硅片翘曲的影响[J]. 电子与封装, 2020, 20(9): 090403 .

REN Kai, XIAO Jian, YUAN Futong, HE Jing. Influence of Different Loading Processeson Silicon Wafer Warping[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(9): 090403 .





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