• 接受日期:2020-03-10 出版日期:2020-07-21 发布日期:2020-04-02

• 作者简介:肖立杨（1995—），男，湖北孝感人，电子科技大学电子科技与工程学院硕士研究生，主要研究方向为GaN HEMT器件热优化。

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摘要： 为研究GaN HEMT多指结构器件中发热指之间的热耦合问题，该文通过分析基于有限元的双指结构器件的仿真数据，得到两发热指之间热耦合的强度与两者所处版图不同位置无关这一结果。通过建立热路模型分析论证这种热耦合关系产生的原因，最后通过模型进一步解释了器件整体热阻与发热指功率的关系。

引用本文

肖立杨. GaN HEMT双指热耦合关系的研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 070404 .

XIAO Liyang. Research on GaN HEMT Double Finger Thermal Coupling Relationship[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 070404 .