湖南大学展示纳米尺寸垂直晶体管原型器件

202105/0809:39:44来源：新华网

湖南大学刘渊教授（右二）同团队成员一起工作（5月6日摄）。

记者5月7日从湖南大学获悉，刘渊教授团队使用范德华金属集成法，成功展示了超短沟道垂直场效应晶体管，其有效沟道长度最短可小于1纳米。这项“微观世界”的创新，为“后摩尔时代”半导体器件性能提升增添了希望。日前，这一研究成果已发表在《自然·电子学》上。

新华社记者 苏晓洲 摄

刘渊教授在电脑屏幕上展示超短沟道垂直场效应晶体管照片，其有效沟道长度最短可小于1纳米（5月6日摄）。

记者5月7日从湖南大学获悉，刘渊教授团队使用范德华金属集成法，成功展示了超短沟道垂直场效应晶体管，其有效沟道长度最短可小于1纳米。这项“微观世界”的创新，为“后摩尔时代”半导体器件性能提升增添了希望。日前，这一研究成果已发表在《自然·电子学》上。

新华社记者 苏晓洲 摄